Адсорбция - атом
Cтраница 2
 |
Электроположительные и электроотрицательные атомы образуют на поверхности проводника положительно ( а и отрицательно ( б заряженные слои. [16] |
В случае адсорбции электроположительных атомов поле этого двойного слоя действует против сил, возвращающих электроны в проводник, и, следовательно, снижает работу выхода. [17]
 |
Два возможных случая изменения формы граничного потенциального барьера при адсорбции атомов, уменьшающих работу выхода. [18] |
Наоборот, при адсорбции атомов, имеющих большое сродство к электрону, например, атомов кислорода, дипольный слой может быть минусом наружу. [19]
Кроме того, адсорбция атомов углерода и азота на полигональных субграницах в некоторой мере способствует также увеличению химической активности. Этим, в частности, обусловлено некоторое увеличение [97, 98 ] скорости коррозии металла, прошедшего низкотемпературный отпуск, по сравнению с неотпущенным: полигонизация приводит к увеличению общей протяженности субграниц с сегрегированными на них атомами примеси ( процессы диффузии примесей к субграницам облегчаются нагревом), которые повышают химическую активность этих границ. [20]
В опытах по адсорбции атомов щелочных и щелочноземельных металлов на металлических нитях эти металлы сами создают и поддерживают высокий вакуум, что является весьма удачным. Единственным недостатком таких нитей является то, что они поликристалличны и поэтому обладают некоторой неоднородностью. [21]
Чем больше энергия адсорбции атомов на данный поверхности, тем выше их температура десорбции и тем более стоек данный эмиттер. [22]
В предыдущих разделах описывалась адсорбция атомов и молекул, не влияющих заметно друг на друга. Это взаимодействие между адсорбированными частицами может проявляться как во взаимном отталкивании, так и во взаимном притяжении. [23]
В предыдущих разделах описывалась адсорбция атомов и молекул, не влияющих заметно друг на друга. При более высоких заполнениях поверхности, когда расстояния между адсорбированными атомами или молекулами становятся меньше, силы взаимодействия между ними возрастают настолько, что начинают оказывать влияние на прочность адсорбции. Это взаимодействие между адсорбированными частицами может проявляться как во взаимном отталкивании, так и во взаимном притяжении. [24]
Экспериментальные данные по влиянию адсорбции атомов и ионов на скорость хемосорбции органических веществ однознач-дао свидетельствуют о тормозящем действии посторонних частиц. [25]
В результате выясняется, что адсорбция атома индуцирует поверхностные состояния, которые располагаются выше соответствующей нормальной зоны неограниченного кристалла. Относящиеся к ним волновые функции не являются периодическими ни в одном направлении и быстро убывают при удалении от адсорбированного атома. Если адсорбированы два атома и они находятся на конечном расстоянии друг от друга, то волновые функции четны по одну сторону от середины расстояния между этими. Это указывает на существование четных и нечетных локализованных состояний, которые находятся над объемной энергетической зоной. Когда расстояние между адсорбированными атомами достаточно велико, то те и другие состояния образуют дважды вырожденные состояния. При сокращении расстояния между адсорбированными атомами данные энергетические уровни расщепляются. [26]
Природа адсорбционных сил в случае адсорбции атомов на металлах и полупроводниках имеет специфический характер. [27]
Гибель цепи происходит в результате адсорбции атома кислорода стенкой. Добавление инертного газа и увеличение диаметра сосуда препятствуют диффузии, атомов кислорода, обусловливающих развитие цепи и ее разветвление, к стенкам сосуда, h результате чего эти факторы вызывают понижение критического давления кислорода в реакции окисления фосфора. [28]
Первой стадией гетерогенного процесса рекомбинации является адсорбция атомов на поверхности твердого тела. Количество адсорбированных на поверхности атомов сильно зависит от природы поверхности и от температуры. На второй стадии атомы, находящиеся в газовой фазе, ударяясь об атомы, адсорбированные на поверхности, и реагируя с ними, образуют молекулы. Последней, третьей, стадией такого процесса является десорбция возникших молекул. [29]
Первой стадией гетерогенного процесса рекомбинации является адсорбция атомов на поверхности. Количество адсорбированных атомов зависит от природы поверхности и от температуры. Атомы, находящиеся в газовой фазе, ударяясь об атомы, адсорбированные на поверхности, реагируют с ними и образуют молекулы. Последней, третьей стадией такого процесса является десорбция возникших молекул. [30]
Страницы: 1 2 3 4