Адсорбция - атом
Cтраница 3
Попутно следует заметить, что и адсорбции атома может оказаться необходимым преодолеть некоторый энергетический барьер. Мы предполагаем в дальнейшем, VTO энергия активации адсорбции атомов будет Г и что практически каждый атом связывается поверхностью прочными силами. Очевидно, что в последнем случае мы имеем адсорбцию атомов коэзионного типа. [31]
Первой стадией гетерогенного процесса рекомбинации яв-ляется адсорбция атомов на поверхности. Количество адсорбированных атомов зависит от природы поверхности и от температуры. Атомы, находящиеся в газовой фазе, ударяясь об атомы, адсорбированные на поверхности, реагируют с ними и образуют молекулы. Последней, третьей стадией такого процесса является десорбция возникших молекул. [32]
Первой стадией гетерогенного процесса рекомбинации является адсорбция атомов твердого тела. Количество адсорбированных на поверхности атомов сильно зависит от природы поверхности и от температуры. На второй стадии атомы, находящиеся в газовой фазе, ударяясь об атомы, адсорбированные на поверхности, и реагируя с ними, образуют молекулы. Последней третьей стадией такого процесса является десорбция возникших молекул. [33]
Первой стадией гетерогенного процесса рекомбинации является адсорбция атомов твердого тела. Количество адсорбированных на поверхности атомов сильно зависит от природы поверхности и от температуры. На второй стадии атомы, находящиеся в газовой фазе, ударяясь об атомы, адсорбированные на поверхности, и ре - агируя с ними, образуют молекулы. Последней третьей стадией такого процесса является десорбция возникших молекул. [34]
Достигаемый в этом случае эффект обусловливается адсорбцией атомов или молекул на молекулах охлажденного газа. [35]
Таким образом, можно сказать, что адсорбция атома С происходит в этом случае на электроне решетки. Свободный электрон кристаллической решетки выступает в роли адсорбционного центра. Поскольку наличие свободного электрона в решетке означает наличие нейтрального состояния М, блуждающего по ионам М решетки, то полученный результат можно выразить так: адсорбционным центром служит нейтральный атом М, присутствующий среди ионов М решетки. Адсорбция атома С на таком центре приводит к локализации этого блуждающего центра и означает образование квазимолекулы СМ с характерной для нее двух-электронной связью. В этой связи участвуют два электрона: валентный электрон атома С и электрон решетки. [36]
 |
Зависимость электронной плотности состояний, приходящейся на единичный интервал энергий, от энергии для трех разных сортов атомов, адсорбированных а поверхности алюминия. [37] |
Эти три случая хорошо иллюстрируют возможные варианты адсорбции атомов на поверхности простых металлов. [38]
Химическому взаимодействию на поверхности твердого тела обычно предшествует адсорбция атомов. При адсорбции расположение атомов на поверхности определяется полем поверхностных сил. [39]
В химии поверхности природа связи, образующейся при адсорбции атома или молекулы на поверхности твердого тела, представляет важную проблему. Можно грубо оценить тип взаимодействия по величине теплоты адсорбции. Если эта теплота мала и близка, например, к - 5 ккал / моль, то мы считаем, что имеет место физическая адсорбция и электронные структуры твердого тела и адсорбата не изменяются значительно при их взаимодействии. Если эта теплота велика и равна, скажем, 50 ккал / моль, мы говорим о хемосорбции и предполагаем изменения в электронных структурах. [40]
Хорошо известным примером адсорбции на металлических поверхностях является адсорбция атомов натрия на поверхности вольфрама. [41]
В дальнейшем мы будем для конкретности говорить об адсорбции водородопо-дсбного атома, атомный остов которого трактуется просто как источник поля. Обобщение на более сложные случаи в принципе можно произвести развиваемыми ниже методами, и все наши качественные выводы никак не зависят от характера модели; однако конкретный расчет мы производим именно для указанного случая. [42]
Для длиннопробежных продуктов деления насыщение достигается в результате адсорбции атомов на поверхности аэрозолей. Так как в этом случае х ш А, то при определенных условиях насыщение достигается вследствие увеличения концентрации аэрозолей. [43]
Разность между уровнями Е и А равна теплоте адсорбции атома. [44]
 |
Изменение полной энергии при хемосорбции СО на d - и Srf-переходных металлах в молекулярной ( СО и диссоциативной ( Г, - - О формах. [45] |
Страницы: 1 2 3 4