Cтраница 1
Возможность распада / ( - мезона на два или на три л-мезона непосредственно противоречит закону сохранения четности. Действительно, анализ свойств л-мезонов и их углового распределения показывает, что четность систем из двух и трех мезонов отличаются друг от друга. [1]
Возможность распада альдегидов биохимическим путем доказана рядом исследователей, однако имеющиеся литературные данные о концентрации, допустимой для подачи их на очистные сооружения, очень разноречивы. [2]
На возможность распада цепей даже при длительной вулканизации не имеется никаких указаний, так как цис-пгрянс-изомерия или совсем не наблюдается, или наблюдается лишь в очень незначительной степени. [3]
Для исключения возможности распада системы из-за нарушения динамической устойчивости крайне желательно дальнейшее увеличение скорости отключения повреждений с доведением полного времени отключения до 0 04 - 0 08 сек. Это требует прежде всего ускорения действия выключателей. [4]
Если же допустить возможность распада этого тела на части, то запрет, налагаемый законом сохранения импульса, снимается. При этом возникшие осколки могут двигаться так, чтобы их центр масс остался в покое - а только этого и требует закон сохранения импульса. [5]
XVII) создает возможность распада М - по типу М, что приводит к уменьшению его стабильности. [6]
СКД, доказана возможность распада гидразина с образованием водорода. [7]
Если же допустить возможность распада этого тела на части, то запрет, налагаемый законом сохранения импульса, снимается. [8]
Среднее состояние окисления Ti как функция молярного отношения Al / Ti. [9] |
Поэтому автор отрицает возможность распада титан-алкилов через промежуточное образование свободных радикалов. [10]
Изложено термодинамическое обоснование возможности ретроградного распада с выделением жидкой фазы. Приведены оригинальные данные о прецизионном построении кривых ретроградного солидуса в важнейших полупроводниковых системах с участием германия, кремния, арсенида индия и др. Рассмотрены кинетика распада и структурный механизм этого процесса. Обосновано использование диаграммы фазовых равновесий при выборе уровня легирования полупроводников и режимов их термической обработки. Описаны возможности направленного изменения свойств материалов, обеспечивающих надежную работу электронных устройств. [11]
Совершенно аналогично следует рассматривать возможность распада аустенита на феррито-цементитную или феррито-графитную смесь. [12]
Мы знаем, что каждая возможность распада связана с некоторым уширением уровня системы. Поэтому каждому процессу распада можно привести в соответствие так называемую частичную ширину уровня, которая определяется как вероятность рассматриваемого процесса в единицу времени, умноженная на К. [13]
Мы знаем, что каждая возможность распада связана с некоторым уширением уровня системы. [14]
Фоторазвертка интерференционной картины в белом свете ( а и собственного свечения ( б ударной волны ( 0 5 Ar 0 5 Xe, pi10 7 Topp. [15] |