Возмущение - система
Cтраница 3
Кроме того, считаем, что вектор возмущений W системы ( 1) является кусочно-постоянной функцией времени. Необходимо специально выделить то обстоятельство, что измерения обязательно должны проводиться в моменты переключения релейной функции u ( t) и в нашем случае интервалы дискретизации Тд - не всегда постоянны. [31]
Эти методы, основанные на том или ином возмущении системы, можно еще подразделить на стационарные и переходные. В стационар ных методах подразумевается не только стационарность переноса заряда и связанных с ним химических процессов, но и постоянство структуры поверхности электрода и непосредственно примыкающих к нему областей в течение всего времени измерения. Не должны изменяться и концентрационные градиенты как в электроде, так и в электролите, а вместе с ними и ионный двойной слой в электролите. В случае полупроводникового электрода постоянной должна быть также область объемного заряда внутри электрода. Микроструктуру электрода особенно трудно поддерживать постоянной при наличии процессов осаждения или растворения в определенной области плотностей тока в рамках стационарных измерений. По этой причине многие электрохимики предпочитают изучать растворение и осаждение переходными методами, в которых измерения занимают достаточно короткое время и микроструктуру электрода можно считать постоянной. [32]
При механических и электромагнитных воздействиях часто создаются такие возмущения системы, которые по форме близки к гармоническим колебаниям. [33]
Рассмотрим реакцию симметричного объекта со взаимозависимыми регулируемыми величинами на возмущение системы. При этом следует различать два варианта воздействия возмущений. [34]
Теперь, основываясь на изложенном, рассмотрим трехслойную систему как возмущение системы с одной границей. Решение в нелинейной среде для системы, состоящей из двух поверхностей раздела, при фиксированном / 3 будет таким же, как в случае с одной поверхностью, но с координатой максимума XQ, сдвинутой на некоторую величину жоТАж, причем верхний знак соответствует симметричному решению, а нижний - антисимметричному. [35]
Покажем, что применение метода группировок не влияет на малость возмущения системы. [36]
В 1965 году А. Н.Колмогорову и В. И. Арнольду за работы по теории возмущений гамильтоно-вых систем присуждается Ленинская премия. [37]
 |
Схема обхода прямолинейного контура. [38] |
Таким образом, как и при оценке статической погрешности, кроме возмущений системы СПИД, при расчете динамической погрешности необходимо учитывать влияние параметрических возмущений. [39]
 |
Определение динамической ошибки. [40] |
Таким образом, как и при оценке статической ошибки, кроме возмущений системы СПИД при расчете динамической ошибки необходимо учитывать влияние параметрических возмущений. [41]
В этом параграфе мы рассмотрим некоторые вопросы применения канонических преобразований в теории возмущений систем, движение которых описывается дифференциальными уравнениями Гамильтона. [42]
В птом параграфе мы рассмотрим некоторые вопросы применения канонических преобразований в теории возмущений систем, движение которых описывается дифференциальными уравнениями Гамильтона. [43]
 |
Максимальные вклады в магнитное вращение и круговой дихроизм. [44] |
Наконец, важно знать, когда существенно влияние на ср и 6 небольших возмущений системы. В области полосы поглощения для перехода / - а эти два условия по-прежнему применимы к ф ( а - /) и 6 ( а - /), если Г а заменить на ш7 - 0 - со. [45]
Страницы: 1 2 3 4