Поверхностная утечка
Cтраница 1
 |
Обратные характеристики реальных диодов - германиевого ( а и кремниевого ( б. [1] |
Поверхностные утечки представляют собой нередко главный фактор, влияющий на обратную характеристику. Ток утечки не всегда является второстепенным результатом загрязнения поверхности. [2]
Поверхностные утечки представляют собой нередко главный фактор, влияющий на обратную характеристику. Ток утечки не всегда является второстепенным результатом загрязнения поверхности. Он обусловлен в первую очередь поверхностными энергетическими уровнями, которые способствуют активной генерации - рекомбинации ( см. с. [4]
Поверхностные утечки также влияют на обратный ток р-п-пе-рехода. Ток утечки может быть обусловлен молекулярными или ионными пленками, шунтирующими переход. Это могут быть молекулы окислов основного материала, молекулы газа, воды. Играют роль также и поверхностные энергетические состояния, которые повышают поверхностную проводимость. При повышении напряжения ток утечки растет сначала линейно, а затем более сильно. [5]
 |
Спектральная характеристика среднего чело, веч-еского глаза. [6] |
Поверхностная утечка зарядов за время между двумя облучениями одного элемента изображения вызывает некоторое ухудшение контрастности и разрешающей способности, если не приняты соответствующие меры. [7]
Наружная поверхностная утечка устраняется только при помощи хорошей изоляции и поддержания чистоты и сухости поверхности лампы. Внутренняя поверхностная утечка обусловлена, главным образом, типом опорной конструкции лампы и ее внутренней изоляцией. [8]
Поверхностные утечки обратного тока обусловлены омическим шунтированием p - n - перехода на поверхности и появлением канальных токов. Ток поверхностной утечки часто является основной составляющей обратного тока через переход. [9]
Величина поверхностной утечки зависит от свойств поверхности, ее чистоты и условий среды внутри кожуха. Если предположить, что первоначальная тщательная очистка достаточна, то важно минимизировать проникновение в кожух загрязнений из окружающей среды, в которой происходит технологический процесс. Для этой цели используются уплотняющие пыленепроницаемые прокладки, периодически очищаемые в случае ухудшения среды. [10]
 |
Схема расположения аппаратов при измерении tg б.| Схема включения испытательного трансформатора при. [11] |
Ток поверхностной утечки 1 в этом случае отводится в землю помимо измерительной схемы и не влияет на результат измерения. [12]
 |
Измерение tg б при наложении охранного кольца на измеряемый объект. [13] |
Ток поверхностной утечки / ут в этом случае отводится в землю помимо измерительной схемы и не влияет на результат измерения. Охранное кольцо делается из двух плотно накладываемых на поверхность изолятора витков неизолированного проводника. [14]
Каналы поверхностных утечек образуются при интенсивной рекомбинации электронно-дырочных пар через непрерывный ряд энергетических состояний на поверхности полупроводника, возникших из-за нарушения валентных связей, а также при прохождении тока по загрязнениям в местах выхода р - - перехода на поверхность. [15]
Страницы: 1 2 3 4