Поверхностная утечка

Cтраница 4

С ростом напряжения на коллекторном переходе величина гк растет, но при некотором значении UK возрастание / прекращается вследствие возрастания поверхностной утечки и ударной ионизации в коллекторном переходе, а при дальнейшем увеличении UK это сопротивление несколько падает. [46]

Вольт-амперные характеристики реального транзистора отличаются от соответствующих вольт-амперных характеристик идеализированной модели за счет влияния объемного сопротивления материала областей транзистора, поверхностных утечек р-л-пере-ходов, эффекта модуляции ширины базы, процессов рекомбинации-генерации в слое объемного заряда и ряда других факторов. В первом приближении учет влияния указанных факторов на поведение вольт-амперных характеристик реального транзистора может быть осуществлен введением в эквивалентную схему идеализированной модели транзистора рис. 1 - 6 сопротивлений г3, гк и Гб, вклкуенных последовательно с электродами идеализированной модели, и сопротивлений гэб, и rKg, включенных параллельно р-п-переходам. [47]

Динисторы. a - структура. б - вольтамперная характеристика. в - схемное изображение. [48]

Низкочастотные шумы вызываются поверхностными процессами в области переходов, например флуктуациями поверхностной tрекомбинации инъецируемых носителей в области эмиттерного перехода и флуктуациями поверхностной утечки в области коллекторного перехода. Эти шумы проявляются наиболее интенсивно в области частот меньше 1000 - 500 гц. [49]

При оценке влажности материала по его проводимости ток, проходящий через внутреннюю область материала, лучше характеризует установившуюся среднюю влажность материала по сравнению с током поверхностной утечки или током в поверхностном слое; две последние составляющие тока зависят от сорбции и десорбции влаги материалом, от образования поверхностных пленок влаги, поверхностных загрязнений и от других, иногда случайных факторов. Однако при измерении сопротивления датчика с материалом учитывают не только объемный, но и поверхностный ток между электродами; удельный вес поверхностного сопротивления в измеряемом сопротивлении зависит от конструкции электродов, их размеров, расстояния между ними. [51]

Таким образом, можно сделать вывод, что в указанных выше условиях большая часть обратного тока состоит из основных носителей и ( или) тока поверхностной утечки. Если, однако, значительно повысить концентрацию неосновных носителей в образце, то большая часть обратного тока может переноситься ими и тогда эксклюзия окажется гораздо более эффективной для управления свойствами коллектора. Это легко показать, освещая коллектор, когда обратное сопротивление сильно уменьшается. При эксклюзии возможно восстановление и даже превышение темпового сопротивления. [52]

Сд - емкость, обусловленная твердым диэлектриком в пф, tg бд - тангенс угла потерь этой емкости, Ru - сопротивление изоляции, обусловленное поверхностной утечкой по твердому диэлектрику в ом, f - в гц, Cf - в пф. [53]

Утечки воздуха подразделяются на подземные ( внутришахт-ные) и поверхностные - подсосы воздуха с поверхности в подземные выработки или наоборот, а также общешахтные, включающие подземные и поверхностные утечки. [54]

Один из недостатков подобных трубок с накоплением, имеющих фотоэмиссионную мозаику, состоит в трудности стабилизации потенциалов элементов мозаики, что имеет место, например, в иконоскопе. Поверхностная утечка или растекание зарядов за интервал между последовательными облучениями данного элемента также представляет определенную трудность в трубках с накоплением. Принцип накопления зарядов полезен не только вследствие повышения чувствительности трубок. При воспроизведении кинокартин с обычными кинопроекторами минимальное время протягивания ленты на один кадр практически гораздо больше времени кадрового гашения в телевидении. Передающая трубка должна накопить и сохранить заряды, соответствующие одному кадру, на время продвижения киноленты три закрытом затворе. [55]

Страницы: 1 2 3 4