Поверхностная утечка

Cтраница 2

Отсутствуют всякого рода поверхностные утечки, шунтирующие переход, а следовательно, и токи утечки, которые добавляются к токам, обусловленным инжекцией и экстракцией. [16]

Отсутствуют всякого рода поверхностные утечки, шунтирующие переход, а следовательно, и токи утечки, которые, вообще говоря, добавляются к токам инжекции и экстракции. [17]

Чем обусловлены токи поверхностной утечки. [18]

Поверхностные шумы обусловлены флуктуациями поверхностной утечки транзистора и также уменьшаются с ростом частоты. [19]

Известно, что в реальных диодах поверхностные утечки имеются, из-за чего ток в обратном направлении больше. Если канал утечки можно считать резистивным, то ток утечки будет возрастать при увеличении напряжения и тока насыщения практически никогда не удастся наблюдать. [20]

В обычных условиях это невозможно вследствие поверхностных утечек, связанных с загрязнением и влажностью. [21]

Для исключения погрешности измерения из-за токов поверхностной утечки на концах кабеля на изоляцию кабеля с обоих концов испытуемого образца надеваются охранные кольца. При включении гальванометра между жилой и источником напряжения при заземленной свинцовой оболочке охранные кольца присоединяются к источнику напряжения до гальванометра ( фиг. Эта схема обычно применяется при измерениях на высоком напряжении. [22]

Зависимость пробивного напряжения от толщины для стекла в однородном и неоднородном полях при переменном напрж жении. [23]

В последнем случае краевой эффект сглаживается повышенной поверхностной утечкой. [24]

Эквивалентная схема идеализированного транзистора. Пунктиром показаны токи - источники дробовых шумов. [25]

Избыточный шум в области коллекторного перехода обусловлен флуктуациями поверхностной утечки. Поэтому он зависит от ширины перехода и тем самым от коллекторного напряжения. [26]

Схемы включения фотодиодов.| Характеристики идеального ( 1 и реального ( 2 фотодиодов. [27]

Считают, что этот вид шума обусловлен флуктуациями поверхностной утечки тока. [28]

В случае, когда величина погрешности, вызываемой токами поверхностной утечки, в местах концевых разделок кабеля превысит 5 %, измерение сопротивления изоляции производится с применением охранных колец, наложенных на изолированные жилы кабеля и присоединенных к экрану установки. [29]

Отказы из-за поверхностных явлений проявляются в виде увеличения токов поверхностных утечек, в результате чего уменьшается рабочее напряжение и возможно возникновение необратимого поверхностного пробоя. Скорость изменения этих параметров зависит от степени негерметичности и внешних условий. Такие отказы легко выявляются при тренировке приборов и могут быть устранены. Например, возрастание тока поверхностных утечек в тиристоре приводит к снижению напряжения переключения. [30]

Страницы: 1 2 3 4