Уход - электрон
Cтраница 1
 |
Элемент Вольта. [1] |
Уход электронов с цинковой пластины нарушает равновесие между пластиной и раствором. Ионы цинка из двойного слоя отходят от пластины, а на их место с пластины идут в раствор новые ионы. В свою очередь уменьшение положительного заряда медной пластины позволяет подойти к ней новым ионам водорода. При соприкосновении с пластиной эти ионы получают электроны и превращаются в газообразный водород. Итак, при работе элемента Вольта на его положительном полюсе выделяется водород, а на отрицательном происходит растворение цинка. [2]
Уход электронов с цинковой пластины нарушает равновесие между пластиной и раствором. Ионы цинка из двойного слоя отходят от пластины, а на их место е пластины идут в раствор новые ионы. В свою очередь уменьшение положительного заряда медной пластины позволяет подойти к ней новым ионам водорода. При соприкосновении с пластиной эти ионы получают электроны и превращаются в газообразный водород. Итак, при работе элемента Вольта на его положительном полюсе выделяется водород, а на отрицательном происходит растворение цинка. Газообразный водород покрывает медную пластину и не дает ионам водорода разряжаться. [3]
 |
Модель образования электронной примесной электропроводности. а в плоскостном изображении. б на зонной энергетической диаграмме. [4] |
Уход электрона от атома сурьмы превращает этот атом в положительный ион. [5]
 |
Схема энергетических зон. [6] |
Уход электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости оставляет свободное место ( дырку) в валентной зоне с положительным зарядом, численно равным заряду электрона. [7]
 |
Схема разрыва валентной связи и появление свободного электрона и дырки как носителей заряда. [8] |
Уход электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости оставляет свободное место ( дырку) в валентной зоне с положительным зарядом, численно равным заряду электрона. Таким образом, дыркой называется освобожденное от электрона место в области нарушенной ковалентной связи, соединяющей соседние атомы собственно полупроводника, имеющее единичный положительный заряд. [9]
Уход электрона из атома приводит к ионизации, а последующее перемещение дырки означает поочередную ионизацию неподвижных атомов. Если электрическое поле отсутствует, электроны проводимости совершают хаотическое тепловое движение. Если полупроводник поместить во внешнее электрическое поле, то электроны и дырки, продолжая участвовать в хаотическом тепловом движении, начнут перемещаться ( дрейфовать) под действием поля, что и создаст электрический ток. При этом электроны перемещаются против направления электрического поля, а дырки, как положительные заряды, - по направлению поля. Электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения ковалентных связей, называется собственной электропроводностью. [10]
Уход электрона от ядра сопровождается увеличением внутреннего запаса энергии за счет затраченной энергии извне. Если электрон под воздействием внешних причин поднят на одну из дальних орбит, то атом будет находиться в возбужденном состоянии, будучи при этом электрически нейтральным. Чем выше поднят электрон, тем, следовательно, атом более возбужден. При этом происходит излучение атома. [11]
Уход электрона равносилен появлению в области бывшей связи положительного заряда р, равного по величине заряду электрона. Такой положительный заряд, образующийся при освобождении электрона ( при разрыве связи), принято в теории полупроводников называть дыркой. Итак, одновременно с возникновением свободного электрона образуется дырка. [12]
Уход электрона от атома сурьмы превращает этот атом в положительный ион. В данном случае положительный ион будет прочно связан с кристаллической решеткой и не будет перемещаться подобна дырке собственной проводимости. При этом появление электрона в зоне проводимости не оставляет дырки валентной зоне, как на рис. 5, в, так как его существование не связано с одновременным появлением дырки з ковалентной связи атомов. При увеличении содержания атомов сурьмы в кремнии увеличивается содержание свободных электронов в нем, однако содержание дырок остается неизменным, как это имело место в собственной проводимости. Полупроводники с электронной проводимостью принято обозначать полупроводниками типа N ( от лат. В основном материале проводника с примесью, как и в чистых полупроводниках, постоянно образуются дырки и электроны, которых значительно меньше, чем электронов примеси, поэтому в полупроводниках типа N электроны являются основными носителями тока, а дырки - неосновными. [13]
Вследствие ухода электронов из приконтактного слоя полупроводника типа п в этом слое концентрация электронов окажется значительно меньшей, чем в глубине полупроводника. Аналогично в приконтактном слое полупроводника типа р концентрация дырок будет значительно меньше, чем в глубине. Эта граничная область с обедненной ( пониженной) концентрацией основных носителей имеет повышенное сопротивление для тока и называется запорным слоем, или потенциальным барьером. [14]
 |
Энергетические диаграммы контакта металл - электронный полупроводник.| Зольтамперные характеристики перехода Шоттки ( 1 и р-п перехода ( 2. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5