Уход - электрон
Cтраница 3
В то же время уход электрона от иона индия означает превращение его в нейтральный атом индия. Что представляет собой введение атома примеси с точки зрения нарушения периодичности поля решетки. Рассмотрим это на линейной модели. На рис. 22 дана потенциальная кривая цепочки атомов основного вещества. Предположим, что мы удалили один атом. Потенциальная яма, существовавшая на месте атома, должна исчезнуть. Но это равносильно наложению положительного возмущения на периодическое поле решетки, создаваемое удалением атома. Отсюда становится ясно, что вакантный узел должен нести себя как положительное локальное возмущение достаточно большой величины и распространенное на область, занимаемую несколькими соседними атомами, порождающее локальное состояние у потолка зоны. Другими словами, вакантные узлы должны быть поставщиками дырок. [31]
Как уже указывалось, уход электронов из стримера на провод вызывает импульс тока, длительность которого определяется длиной стримера и скоростью движения электронов вдоль стримера. После устранения электронов из стримера в объеме газа остается столб избыточного объемного заряда положительных ионов. Быстрое изменение избыточного заряда на поверхности: провода является причиной возникновения и распространения вдоль линии электромагнитной волны. [32]
В - полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизоЕ анных донор-ных атомов. [33]
 |
Зависимость статических параметров транзистора от режима. [34] |
Поскольку этот ток обусловлен уходом электронов из базы, общий коэффициент инжек-ции соответственно уменьшается. [35]
 |
Влияние формы баллона трубки на отражение световых лучей от его стенок [ IMAGE ] - 25. Засветка сферического экрана лучами от электронного пятна. [36] |
Проводимость алюминиевого слоя обеспечивает - уход электронов с экрана в цепь второго анода. Поэтому критический потенциал экрана может быть много выше, чем без металлизации. Следовательно, возможны большие скорости электронов, что увеличивает яркость свечения. Увеличению яркости способствует отражение световых лучей от алюминиевой пленки. Ионы, имеющие сравнительно небольшую скорость, не пробивают алюминиевую пленку, и ионного пятна не возникает. А электроны, обладая большой скоростью, проникают сквозь металлическую пленку в люминофор, хотя и теряют часть энергии на пробивание пленки. [37]
При достаточно низких температурах вследствие ухода электронов из зоны проводимости вырождение снимается. [38]
Положительные дырки, оставшиеся после ухода электронов, перемещаются к поверхности кристалла и удаляются в виде атомов брома. [39]
 |
Схема термоэлектронного преобразователя с дополнительной экранировкой отрицательно заряженного электрода.| Зависимость тока коллектора от потенциала кольцевого электрода при различных давлениях. [40] |
Для повышения ионизирующей способности электронов необходимо предотвратить уход электронов из пространства ионизации на колбу преобразователя. [41]
Аналогично, вероятность освобождения ловушки за счет ухода электрона в валентную зону ( случай 2) будет тем выше, чем больше свободных уровней будет в валентной зоне. Так как свободные уровни в валентной зоне представляют собой не что иное, как дырки, то вероятность перехода электрона с уровня захвата в валентную зону будет тем выше, чем выше концентрация дырок. [42]
Сильное нарушение квазинейтральности вызывается, по-видимому, повышенным уходом электронов вследствие раскачки в анизотропной плазме ионно-циклотронных волн. В результате, к частоте магнитного дрейфа ионов добавляется частота вращения всей плазмы в скрещенных Е - и В-полях; это и определяет наблюдающуюся линейную зависимость частоты от потенциала плазмы. [43]
 |
Векторные диаграммы схемы ОЭ при трех разных частотах. [44] |
Коллекторный переход находится под отрицательным смещением, поэтому уход электронов через него исключен. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5