Уход - электрон
Cтраница 4
Неподвижные положительные ионы атомов примеси, оставшиеся после ухода электронов примеси в зону проводимости, располагаются далеко друг от друга, поэтому не могут блуждать по кристаллу и участвовать в электропроводности полупроводника. В связи с этим проводник обладает лишь электронной ( типа п) проводимостью. [46]
К вторичным процессам относятся явления, связанные с уходом электронов и рентгеновских квантов йода, которые образовались при взаимодействии у-квантов с веществом кристалла. Если взаимодействие произошло вблизи поверхности кристалла, то образовавшийся электрон может выйти из кристалла, потеряв в нем только часть энергии. Это приводит к нарушению симметрии пика полной энергии и дает дополнительный вклад в непрерывное распределение. Очевидно, что этот эффект будет тем более заметен, чем меньше размеры кристалла. Этот эффект также возрастает с ростом энергии у-квантов. При малых энергиях ( О50 кэв) влияние ухода электронов пренебрежимо мало и становится существенным лишь при энергии у-квантов выше нескольких сот килоэлектронвольт. [47]
У металлических катодов потери эмиссии нет, так как уход электронов с катода на анод электронного прибора все время пополняется новыми электронами, поступающими из анодной цепи, соединяющей анод с катодом. Отсутствие потери эмиссии является важным преимуществом металлических катодов. [48]
Этот процесс не может продолжаться бесконечно, так как уход электронов из n - полупроводника и приток в него дырок приведет к образованию объемного заряда; аналогичный объемный заряд образуется также и в р-области. Эти объемные заряды создают сильное электрическое поле такого направления, которое будет препятствовать движению электронов и дырок, так что в конце концов устанавливается равновесие. В условиях равновесия наличие в р-области отрицательного заряда приводит к повышению энергии ее электронных состояний. [49]
 |
Термоэлектронный манометр орбитрон.| Траектория электронов в термоэлектронном преобразователе орбитрон. большие ( а и малые ( б величины касательной скорости. [50] |
Снизу расположен изолированный от коллектора отражатель 4, который предотвращает уход электронов из пространства ионизации. [51]
 |
Результирующая концентрация донорных и акцепторных атомов при наличии примесей обоих типов для Т О К. [52] |
При повышении температуры именно эти уровни будут создавать электроны, так как уход электронов с акцепторных уровней требует гораздо большей энергии, соответствующей почти полной ширине запрещенной зоны. Поэтому разность Л д - Л / а следует считать эффективной концентрацией донорных атомов. [53]
Электроны находятся в термодинамическом равновесии при выполнении условия, согласно которому частота ухода электронов на электроды vyx много меньше частоты столкновения между электронами. В силу квазинейтральности плазмы скорость ухода электронов совпадает со скоростью ухода ионов на электроды у. [54]
 |
Потенциальная диаграмма выхода электрона из полупроводника п-типа.| Цепь, составленная из различных металлов. [55] |
При этом вещество с меньшим значением работы выхода электронов заряжается положительно из-за ухода электронов, а с большим - вследствие прихода электронов - отрицательно. [56]
Второй член описывает изменение концентрации электронов в элементарном объеме dV вследствие поступления или ухода электронов из него при протекании тока. [57]
Благодаря наличию у катода 2 торцевых крышек ( с отверстиями лишь для анода) уход электронов за пределы разрядного промежутка сильно затруднен и их потери очень малы. [58]
 |
Зависимость компонентов сеточного тока лампы от смещения на сетке. [59] |
Знак / с означает поступление электронов на сетку, а знак - / с - уход электронов или нейтрализацию их заряда положительными ионами. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5