Участка - пластина
Cтраница 1
Участки пластины над крайними ячейками седла следует рассчитывать по другой схеме - как балку, свободно опирающуюся одним концом при жестко защемленном другом. [1]
Обнажающиеся свежие участки пластины пороха воспламеняются и горение распространяется в глубину щели. Описанная картина напоминает турбулентное горение жидких ВВ с той разницей, что источником энергии в данном случае служит горение обнаженной части боковой поверхности щели. Теория турбулентного горения щелевого заряда пороха, заполненного жидкостью, построена [219] аналогично теории турбулентного горения жидких ВВ. [2]
 |
Запоминающее устройство на феррито-вых пластинах. [3] |
Возрастание тока может повлиять на участки пластины вокруг соседних отверстий. R 0 25, когда взаимное влияние соседних участков практически мало. [4]
 |
ЗУ на ферритовых пластинах.| Схема соединения пластин слоистого МОЗУ. [5] |
Увеличение тока может повлиять на участки пластины вокруг соседних отверстий. [6]
 |
Схема проведения диффузии фосфора и бора в пластины кремния.| Температурная зависимость коэффициентов диффузии примеси в кремнии.| Печь для диффузии. [7] |
ИС необходимо проводить диффузию только в строго определенных участках пластины с заданной геометрией. Для этого нужно каким-либо образом защитить остальную часть поверхности пластины от проникновения примеси в процессе диффузии. [8]
Формула (1.37) справедлива при произвольной нагрузке на участке пластины гг г га и, в частности, при отсутствии нагрузки. [9]
Формула (1.37) справедлива при произвольной нагрузке на участке пластины гх г г2 и, в частности, при отсутствии нагрузки. [10]
Далее пластина промывается в растворе едкого натрия, который растворяет необлученные участки пластины. Затем пластина высушивается и подвергается повторному ультрафиолетовому облучению и травлению, после чего соединяется с крышкой. [11]
Для определения прогиба пластины применим четвертое уравнение системы (5.53) к i-му участку пластины. [12]
На рис. 87 указано поле dE dE - 4 - dE, созданное двумя одинаковыми участками пластин в симметричной точке О. Вдали от пластины ая О и поведение модуля dE уже определяется только удалением, что и приводит к уменьшению dE с ростом г вдали от пластины. [13]
Как указывалось, электрическое контактирование диффузионных областей ИС с межсоединениями достигается нанесением алюминиевой пленки на участки пластины, освобожденные от окисной пленки с помощью фотолитографии. После вакуумного напыления А1 и получения межсоединений производят вжигание контактов - отжиг при температуре порядка 550 С, в результате чего алюминий диффундирует в поверхностный слой кремния. Отмечалось также, что алюминий в кремнии ведет себя как акцептор, создавая дырочную электропроводность. Следовательно, вжигание может различным образом отразиться на качестве контакта в зависимости от типа электропроводности диффузионной области и соотношения концентрации исходной примеси и внедренного алюминия. [14]
 |
Травление отверстий в. [15] |
Страницы: 1 2 3 4