Участка - пластина
Cтраница 2
После охлаждения получаются заготовки с видимыми изображениями галет, которые остались прозрачными, тогда как удаляемые участки пластины стали матовыми, опаловыми из-за содержания в них около 50 % кристаллической фазы. Благодаря присутствию окислов А12О3 и К2О выделяются кристаллы метасилика-та лития Li2O - SiOa и ортосили-ката лития 2Li2O - SiO2, которые в 10 - 15 раз легче растворимы в 1 - 5 % - ном растворе плавиковой кислоты HF, чем дисили-кат Li2O - 2SiO2, остающийся в незасвеченной аморфной структуре. [16]
В момент перехода ядерного режима кипения в пленочный производятся измерения силы тока, падения напряжения на рабочем участке пластины, температура и давление кипящей жидкости. [17]
Назначение маски - защитить основную поверхность пластины и обеспечить проникновение примеси, тра-вятеля и других веществ только в определенные участки пластины, где расположены будущие структуры или их элементы. Для этого в маске делаются отверстия ( окна) той или иной формы в количестве, соответствующем намеченному числу структур. Окисный слой германия получить трудно, к тому же он оказывается весьма нестойким и непрочным. [18]
 |
Этапы изготовления сплавного диода. [19] |
Назначение маски - защитить основную поверхность пластины и обеспечить проникновение примеси, травителя и других веществ только в определенные участки пластины, где расположены будущие структуры или их элементы. Для этого в маске делаются отверстия ( окна) той или иной формы в количестве, соответствующем намеченному числу структур. [20]
Для этого к местам пластины, где должны получиться лунки, подводят фигурный электрод и искусственно создают на этих участках пластины повышенную плотность тока, что и приводит к вытравливанию рельефного слоя. [21]
Если образование паразитного слоя происходит путем испарения мышьяка из скрытого слоя, переноса его через газовую фазу с последующим осаждением на высокоомные участки пластин, то по результатам измерения толщины паразитного слоя можно определить концентрацию примеси на поверхности паразитного слоя. [22]
Оковд - расход конденсата через поперечное сечение пленки 6 ( я) - 1 или количество пара, сконденсировавшегося за единицу времени на участке пластины x - i; pntwo / - локальный расход пара во внешней области сквозь поперечное сечение, равное М; / - длина поверхности. [23]
Так как Л, я / а, то при у а множитель е - е-п 0 045 и можно считать, что на участке пластины у а ее изгиб практически затухает. [24]
Форма разрушения такой пластины при достижении нагрузкой предельного значения может быть представлена, согласно предложению А. А. Гвоздева, боковой поверхностью пирамиды с вершиной в точке О и с ребрами, которые являются пластическими цилиндрическими шарнирами, соединяющими точку О с вершинами опорного контура. Треугольные участки пластины предполагаются недеформируемы-ми. [25]
Форма разрушения такой пластины при достижении нагрузкой предельного значения может быть представлена, согласно предложению А. А. Гвоздева, боковой поверхностью пирамиды с вершиной в точке О и с ребрами, которые являются пластическими цилиндрическими шарнирами, соединяющими точку О с вершинами опорного контура. Треугольные участки пластины предполагаются недеформируемыми. Высота пирамиды считается малой величиной, задаваемой с точностью до неопределенного параметра А. [26]
При течении жидкости ( газа) вдоль плоской поверхности ( пластины) в пристенной зоне образуется гидродинамический пограничный слой, в пределах которого скорость изменяется от значения Ш0 на внешней границе до нуля на стенке. На начальном участке пластины, пока пограничный слой тонкий, течение ламинарное. Далее, на некотором расстоянии JCKp от передней кромки пластины течение в пограничном слое становится турбулентным. [27]
Травление проводится в плавиковой кислоте, в которой SiO2 растворяется. На тех участках пластины, на которых необходимо проводить диффузию, в слое SiO2 прч помощи плавиковой кислоты вытравливают окна требуемых размеров. [28]
Плотность неподвижного стыка после крепления пластин должна быть проверена легким простукиванием деревянным молотком. На всех участках пластин звук должен быть одного тона. [29]
 |
Пластина типа 0 32.| Теплообменный неразборный аппарат с пластинами. [30] |
Страницы: 1 2 3 4