Участка - пластина
Cтраница 3
В местах отбортовки с обеих сторон пластины расположены металлические проставки, перекрывающие сварные швы. К этим проставкам приварены прилегающие участки пластины, образующие в сборе по длине пакета четыре монолитных участка, к которым приварены коллекторы, охватывающие определенную группу межпластинных каналов. [31]
 |
Зависимость от е рг / pi коэффициента равнодействующей для густой решетки пластин с О 30 при i 0 и различных числах М. [32] |
Во всей области потока выше характеристики, наклоненной к пластине под углом ocj arcsin-j -, течение остается невозмущенным. Изменение в распределении давления будет наблюдаться только на участке пластины, где происходит отражение характеристик. [33]
При необходимости произвести диффузию примесей только в отдельные участки поверхности кремниевой пластины, поступают следующим образом: на поверхности пластины окислением в специальных условиях получают слой двуокиси кремния SiCb необходимой толщины, которая хорошо задерживает диффундирующие вещества. Затем, пользуясь способом фотолитографии, в этом слое вытравляют окна, открывающие участки пластины, которые необходимо подвергнуть диффузии. Процесс диффузии проводят при температуре порядка 1000 - 1200 С. Чтобы получить нужные глубины диффузии, распределение примесей по глубине и проводимость обрабатываемой диффузией области кристалла, необходимо температуру в печи поддерживать с очень высокой точностью ( порядка долей градуса) в течение всего времени диффузии. [34]
Для этого на испытуемом покрытии выбирают участки, подлежащие измерению ( диаметром 5 - 6 мм) и очерчивают нх со стороны подложки мягким графитовым карандашом. Окрашенную пластину помещают между измерительными плоскостями микрометра и вращением трещотки по часовой стрелке приводят отмеченные участки пластины в соприкосновение с измерительными плоскостями. Момент соприкосновения определяется по характерному звуку трещотки. Подобные измерения производят на 5 - 10 участках покрытия. [35]
На практике температура поверхности пластины не всегда оказывается одинаковой во всех ее точках. Условие tc const, например, не выполняется в случае электрического обогрева, когда на каждом участке пластины выделяется одинаковое количество теплоты. Эта теплота через поверхность пластины отводится к теплоносителю. Таким образом, в этом случае в каждой точке поверхности неизменным оказывается шю. [36]
Диффузия примесей в монокристаллический материал является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых приборов. При помощи диффузии формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации в раз -, личных участках пластины полупроводникового материала, создаются, диодные и транзисторные структуры, резисторы и прочие элементы интегральных схем. [37]
По длине этих пластин приложен электрический градиент, пересекающий поле, создаваемое небольшими постоянными магнитами. Ионы ударяются об одну из этих пластин, а выбитые вторичные электроны по дугообразной траектории следуют к более отдаленному участку пластины, где процесс повторяется. В конце концов усиленный ток электронов достигает анода, соединенного с регистрирующим устройством. [38]
Полученное электростатическое изображение проявляют с помощью заряженных частиц красителя. Заряженные частицы под действием электрических сил поверхностного заряда оседают на поверхности фотополупроводящего слоя в количестве, пропорциональном количеству положительных зарядов на данных участках пластины, образуя видимое изображение внутреннего строения исследуемого объекта. [40]
Этот метод контроля представляет собой процесс получения изображения на поверхности пластины, электрические свойства которой изменяются в соответствии с энергией воспринятого рентгеновского или у-излучения. Если зарядить такую пластину электрическим зарядом до определенного уровня, а затем подвергнуть ионизационному облучению, то величина остаточного заряда на любом участке пластины будет однозначно связана с интенсивностью излучения, падающего на данный участок. [41]
Когда после механической обработки пластины приходится подвергать травлению, следует учитывать то обстоятельство, что неровность их поверхности в результате травления возрастает. Применение специальных метода -, химической и электрохимической полировки позволяет основную часть поверхности пластин получить достаточно гладкой, но на ее краях всегда будут оставаться так называемые завалы, из-за которых близкие к краю участки пластин нельзя использовать. В случае, когда пластина сразу разрезается на кристаллы ( что имеет место при изготовлении сплавных приборов), после резки кристаллы также подвергаются легкому травлению; при этом надо обращать внимание на то, что края кристаллов будут травиться сильнее. Помимо снятия нарушенного слоя в пластинах или кристаллах-заготовках травление используется и для обработки готовых транзисторных структур. При этом достигаются две цели. Во-первых, стравливаются определенные часта кристалла, которые в готовых структурах необходимо удалить, и, во-вторых, при травлении может происходить удаление различных загрязнений, вредно сказывающихся на работе транзисторов. В сплавных приборах с помощью травления могут удаляться участки кристалла, расположенные вблизи выхода р-п перехода на поверхность. Благодаря этому увеличивается расстояние между металлическим электродом и пере, ходом и снижается вероятность случайного замыкания перехода. В транзисторах, изготовленных с помощью диффузии, как говорилось выше, травление полупроводника может использоваться для получения меза-структур. [42]
Вслед за тем перемещают пластину в радиальном направлении и извлекают ее. Вместо приспособления, указанного на рис. 5 - 56, для сохранения монолитности и формы коллектора при удалении пластины его плотно, с большим натягом бандажируют медной проволокой прямоугольного сечения, припаивают эту проволоку к медным пластинам и затем вырезают бандаж на участке против удаляемых пластин. Однако этот способ крепления коллектора менее удобен и надежен, чем при помощи стяжного диска. [43]
Ниже изложен метод построения такого решения, аналогичный известному методу А. Н. Крылова в теории изгиба балок на упругом основании. Участки пластины ( с постоянной нагрузкой) нумеруются от центра к периферии. На каждом участке выражение для частного решения принимается равным сумме соответствующего выражения на предыдущем участке и частного решения, отражающего влияние дополнительных нагрузок, действующих на данный участок. Это дополнительное решение строится таким образом, чтобы в начале участка оно обращалось в нуль вместе со своей первой производной. Тогда присутствие этого решения не изменяет значений § и Мх на внутренней границе участка, и постоянные Сг и С2 оказываются для данного участка такими же, как для предыдущего. [44]
В подвешена на тонкой кварцевой нити. Параллельно ей расположены две неподвижные пластины / ], нагреваемые до темп-ры, большей чем температура степок того объема, в который помещается В. На участки пластины / У, расположенные против пластин А, попадают молекулы с большими скоростями, чем па др. участки. Под действием разности сил, вызванных разностью скоростей молекул, пластина В поворачивается. [45]
Страницы: 1 2 3 4