Экспонированная участка
Cтраница 4
При экспонировании через прозрачные участки негатива под действием света диазосульфонат диссоциирует на диазосоединение и сульфитные ионы. Проявление в щелочном растворе, содержащем краскообразующие компоненты, приводит при этом к образованию в экспонированных участках красителей и к вымыванию из светочувствительного слоя неэкспонированного диазосульфоната; в результате неэкспонированные участки оказываются прозрачными. [46]
В процессе изготовления диска-оригинала используют стеклянный диск ( обычно диаметр 36 см, толщина 5 мм), покрытый тонким ( около 0 12 мкм) слоем фоторезиста. Рельеф на поверхности формируют в два этапа: при экспонировании, сфокусированным лазерным пучком, интенсивность которого модулируется записываемым телевизионным сигналом, и при обработке экспонированного диска с помощью кислотного растворителя, который растворяет фоторезист на экспонированных участках, таким образом возникает рельефная структура. При записи сигналов изображения длительность экспозиции весьма мала - 0 7 10 - 7 с. Это приводит к необходимости использовать лазеры мощностью около 25 мВт, формирующие пятно на поверхности диска диаметром около 1 мкм. Процесс изготовления диска-оригинала включает напыление тонкого металлического слоя, например, серебра. [47]
Область светочувствительности лежит между 200 и 600 ммкм, но сколь скоро большинство стекол пропускает лучи с минимальной длиной волны 320 ммкм максимум сенсибилизационной кривой в фильтрованном стеклом свете соответствует длине волны 340 ммкм. Время экспонирования зависит как от толщины слоя, так и от мощности источника света, и поэтому для установления оптимального времени экспонирования необходимо проведение проб. Экспонированные участки резиста подлежат вымыванию с заготовки, неэкспонированные остаются на фольге. [48]
Фотопластинку вынимают из кассеты и погружают эмульсией вверх в кювету с проявителем. Проявление необходимо вести при равномерном и энергичном перемешивании проявляющего раствора, так как в процессе проявления происходит истощение проявителя из-за разложения проявляющего вещества, а ионы брома переходят в раствор, что также уменьшает активность проявителя. В сильно экспонированных участках, где количество образовавшегося металлического серебра велико, в прилегающих к эмульсии слоях проявителя концентрация бромидов возрастает, и процесс проявления замедляется. [49]
N-метилпирролидоне или ДМАА, наносят слой обычного позитивного хинондиазидного фоторезиста толщиной около 5 мкм и проводят стандартную литографию [ пат. При проявлении щелочью удаляют экспонированные участки фоторезиста и полиамидокислоту, находящуюся под ними. Фоторезист удаляют ацетоном, а полиамидокислоту в рельефном слое циклизуют в термостойкий полиимид. По-лиамидокислота ( ПДДЭ) в этом случае - продукт поликонденсации пиромеллитового диангидрида и диаминодифенилового эфира, соответствующий полиимид выдерживает нагревание до 400 С. Поскольку N-метилпирролидон и ДМАА неполностью удаляются при образовании слоев полиамидокислоты и резиста, то эти растворители деформируют рельеф при высокотемпературной имиди-зации. В результате не удается получить высокоразрешенный микрорельеф. [50]
Изображение фиксировалось с помощью нанесенного на стеклянную пластину эмульсионного покрытия, в состав которого дило соединение серебра. В процессе проявления химический проявитель восстанавливает на экспонированных участках соединение серебра до металла - в зависимости от интенсивности попавшего на него света. После удаления оставшегося соединения серебра специальным раствором на пластине остается негатив, на котором изображение представлено в виде почерневших участков ( металлическое серебро) различной интенсивности. После проекции негатива на светочувствительную поверхность получается окончательное позитивное изображение. [51]
 |
Расположение приборов для регистрирования показаний зеркального гальванометра. [52] |
Пластинка не может оставаться неподвижной, если на ней записывают периодически повторяющийся процесс, например колебания зеркальца осциллографа. Под движущимся лучом должны проходить все новые, не экспонированные участки чувствительного слоя. [53]
Достаточно широкое освещение в полиграфической литературе [61-64] получила разработка многослойной драйографической формы фирмы Тогау ( Япония), предусматривающая чередование нижнего светочувствительного и верхнего антиадгезионного слоев, но в отличие от форм такого типа не требующая проявления светочувствительного слоя через слой силоксанового каучука [ пат. Сверху пластина защищается пленкой ПЭТФ. Дифференциация свойств облученных и необлученных участков достигается благодаря увеличению адгезии слоев полисилоксана к экспонированным участкам нижнего слоя ( рис. VI. Форму обрабатывают проявителем, в котором не растворяется светочувствительный слой, например, смесью ненасыщенных углеводородов и этанола ( 9: 1) для слоя на основе эфира о-нафтохинондиазидов и НС, содержащего 10 - 20 % 4 4 -дифенилдиизоцианата [ заявка Великобритании 2064803; франц. [55]
 |
Драйографическая формная пластина после экспонирования и проявления ( а после плазменной обработки и уда - - 2 ления фоторезиста ( б, в и после нанесения печатной краски ( г. [56] |
Достаточно широкое освещение в полиграфической литературе [61-64] получила разработка многослойной драйографической формы фирмы Тогау ( Япония), предусматривающая чередование нижнего светочувствительного и верхнего антиадгезионного слоев, но в отличие от форм такого типа не требующая проявления светочувствительного слоя через слой силоксанового каучука [ пат. Сверху пластина защищается пленкой ПЭТФ. Дифференциация свойств облученных и необлученных участков достигается благодаря увеличению адгезии слоев полисилоксана к экспонированным участкам нижнего слоя ( рис. VI. Форму обрабатывают проявителем, в котором не растворяется светочувствительный слой, например, смесью ненасыщенных углеводородов и этанола ( 9: 1) для слоя на основе эфира о-нафтохпнондиазидов и НС, содержащего 10 - 20 % 4 4 -дифеннлдпизопианата [ заявка Великобритании 2064803; франц. [57]
Рассмотрим, например, процесс создания фотолитографическим методом маски под диффузию на поверхности полупроводниковой подложки. После высыхания светочувствительной пленки на подложку накладывается фотошаблон с рисунком нужного технологического слоя. Если используется позитивный фоторезист ( например, ФП-383), при проявлении в слабом щелочном растворе экспонированные участки пленки, которые под воздействием света стали растворимыми, вымываются, оставляя открытыми участки окисной пленки; неэкспонированный фоторезист нерастворим и не затрагивается проявителем. Таким образом создается контактная ласка из фоторезиста. Если теперь опустить подложку в концентрированную плавиковую кислоту, окисная пленка стравливается лишь в местах, не защищенных маской. В результате образуется стойкая к высокой температуре маска из двуокиси кремния. [58]
Страницы: 1 2 3 4