Участок - насыщение
Cтраница 1
 |
Вольт-амперные характеристики полевого транзистора. а - выходные. б - передаточная. [1] |
Участок насыщения является рабочей областью выходных характеристик полевого транзистора. [2]
Участок насыщения наиболее ярко выражен у диодов с металлическими катодами и менее выражен у диодов с металл опленочными и полупроводниковыми катодами. Диоды могут работать как в режиме объемного заряда, так и в режиме насыщения. [3]
Участок насыщения является рабочим участком вольтамперной характеристики. Чувствительность на рабочем участке максимальна, но не только величина чувствительности определяет выбор рабочего участка. На участке насыщения фо-тоток почти не зависит от изменения напряжения питания фотоэлемента, а определяется только величиной светового потока. [4]
Поскольку участок насыщения является основным рабочим участком, определим крутизну S именно в этой области. [5]
Поскольку участок насыщения в полевых транзисторах является, как и в вакуумных пентодах, основным рабочим участком, определим крутизну характеристики S именно в этой области. [6]
Поскольку участок насыщения является основным рабочим участком, определим крутизну 5 именно в этой области. [7]
 |
Вольт-амперная характеристика ионизационных детекторов. [8] |
Следующая зона - участок насыщения ( / / зона), для которого характерно отсутствие рекомбинации и полный сбор всех образующихся заряженных частиц. В этом случае ионный ток определяется только скоростью образования зарядов. [9]
 |
Осциллограмма пуска и торможения электропривода, работающего вхолостую.| Схема моделирующей установки для получения статических характеристик экскаваторного электропривода. [10] |
Нагрузочные характеристики МУ имеют участок идеального насыщения ( рис. 3 - 26 а), что позволяет получить от системы электропривода хорошее токоограниче-ние, применив отрицательную непрерывную связь по току и положительную связь по напряжению. [11]
Вольтамперная характеристика фотоэлемента имеет ярко выраженный участок насыщения, причем величина тока насыщения зависит от величины светового потока. [12]
На вольт-амперной характеристике ясно выражен участок насыщения. [13]
За участком неполного сбора следует участок насыщения / /, для которого характерно отсутствие рекомбинаций и полный сбор всех образовавшихся зарядов. В этом случае ионный ток определяется только скоростью образования зарядов. Сигналом детекторов, работающих на участке / /, является увеличение тока, вызванное значительным возрастанием скорости образования заряженных частиц вследствие ионизации анализируемых компонентов, поступающих в детектор. При этом ионизация чистого газа-носителя, как правило, должна отсутствовать и уровень фонового тока может быть весьма малым. [14]
У ламп с активированными катодами участок насыщения на анодной характеристике отсутствует. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5