Участок - насыщение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Рассказывать начальнику о своем уме - все равно, что подмигивать женщине в темноте, рассказывать начальнику о его глупости - все равно, что подмигивать мужчине на свету. Законы Мерфи (еще...)

Участок - насыщение

Cтраница 4


46 К объяснению обратной ветви ВАХ барьера Шоттки. [46]

Из рис. 10.4, б видно, что учет эффекта Шоттки приводит к разгибу ВАХ и ликвидации на ней участка насыщения.  [47]

48 Относительная спектральная чувствительность фоторезисторов. [48]

При больших освещенностях увеличение светового тока отстает от роста светового потока, на энергетической характеристике намечается тенденция к насыщению, однако явного участка насыщения нет. Сопротивление нагрузки в цепи фоторезистора проявляется лишь при больших освещенностях. В этом случае участок насыщения на энергетической характеристике появляется вследствие перераспределения напряжения источника. Тем-новые токи фоторезисторов ограничиваются соответствующими ТУ и ГОСТ только по верхнему пределу.  [49]

Анализируя безразмерную характеристику (2.6), можно сделать вывод, что она имеет участок, близкий к линейному, в начале координат и участок насыщения при больших значениях аргумента.  [50]

Однако работа триода в режиме максимального использования ( положение АВ линии нагрузки) сопровождается обычно сильными нелинейными искажениями, особенно если точка В попадает на участок насыщения анодной характеристики.  [51]

52 Остаточное изменение длины в зависимости от температуры нагрева стали 08кп при деформации 60 % и скорости нагрева 1000 град / сек. [52]

Вычисленные указанным образом некие средние величины напряжений 1-го рода, релаксировавших после скоростного нагрева до разных температур, приводятся на рис. 11.23 и 11.24. Наличие участка насыщения в области температур около 1100 С свидетельствует о полном снятии напряжения 1-го рода после нагрева до этих температур и, следовательно, является косвенным индикатором завершенной рекристаллизации, аустенита, унаследовавшего при скоростном нагреве значительную часть дефектов и напряжений деформированной а-фазы. Сам по себе этот факт может служить определенным доказательством явления наследственной передачи дефектности при а - f превращении наклепанной стали.  [53]

54 Расчет изотерм экстракции. [54]

Изотермы экстракции электролитов ( рис. 5) имеют три участка: начальный, обусловленный диссоциацией ( y - Kxv), участок умеренной отрицательной неидеальности и участок насыщения.  [55]

Для расчетов, не требующих особой точности, иногда всю характеристику до участка насыщения представляют в виде наклонной прямой, выходящей из начала координат, а участок насыщения - в виде горизонтальной прямой.  [56]

57 Движение неравно - [ IMAGE ] Обратные ветви весных носителей заряда, об - ВАК фотодиода при раз-разованных квантами света в личных световых потоках р-п - переходе или вблизи него, при обратном напряжении на переходе. [57]

В рабочем диапазоне обратных напряжений при освещении фотодиода обратные токи практически не зависят от приложенного напряжения, хотя обратная ветвь ВАХ фотодиода в затемненном состоянии может не иметь участка насыщения тока.  [58]

59 Движение неравновесных носителей заряда, образованных квантами света в p - n - переходе или вблизи него, при обратном смещении / 7-я-перехода.| Обратные ветви вольт-амперных характеристик фотодиода при различных световых потоках. [59]

В рабочем диапазоне обратных напряжений при освещении фотодиода обратные токи практически не зависят от приложенного напряжения, хотя обратная ветвь вольт-амперной характеристики фотодиода в затемненном состоянии может не иметь участка насыщения тока.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5