Cтраница 4
![]() |
К объяснению обратной ветви ВАХ барьера Шоттки. [46] |
Из рис. 10.4, б видно, что учет эффекта Шоттки приводит к разгибу ВАХ и ликвидации на ней участка насыщения. [47]
![]() |
Относительная спектральная чувствительность фоторезисторов. [48] |
При больших освещенностях увеличение светового тока отстает от роста светового потока, на энергетической характеристике намечается тенденция к насыщению, однако явного участка насыщения нет. Сопротивление нагрузки в цепи фоторезистора проявляется лишь при больших освещенностях. В этом случае участок насыщения на энергетической характеристике появляется вследствие перераспределения напряжения источника. Тем-новые токи фоторезисторов ограничиваются соответствующими ТУ и ГОСТ только по верхнему пределу. [49]
Анализируя безразмерную характеристику (2.6), можно сделать вывод, что она имеет участок, близкий к линейному, в начале координат и участок насыщения при больших значениях аргумента. [50]
Однако работа триода в режиме максимального использования ( положение АВ линии нагрузки) сопровождается обычно сильными нелинейными искажениями, особенно если точка В попадает на участок насыщения анодной характеристики. [51]
![]() |
Остаточное изменение длины в зависимости от температуры нагрева стали 08кп при деформации 60 % и скорости нагрева 1000 град / сек. [52] |
Вычисленные указанным образом некие средние величины напряжений 1-го рода, релаксировавших после скоростного нагрева до разных температур, приводятся на рис. 11.23 и 11.24. Наличие участка насыщения в области температур около 1100 С свидетельствует о полном снятии напряжения 1-го рода после нагрева до этих температур и, следовательно, является косвенным индикатором завершенной рекристаллизации, аустенита, унаследовавшего при скоростном нагреве значительную часть дефектов и напряжений деформированной а-фазы. Сам по себе этот факт может служить определенным доказательством явления наследственной передачи дефектности при а - f превращении наклепанной стали. [53]
![]() |
Расчет изотерм экстракции. [54] |
Изотермы экстракции электролитов ( рис. 5) имеют три участка: начальный, обусловленный диссоциацией ( y - Kxv), участок умеренной отрицательной неидеальности и участок насыщения. [55]
Для расчетов, не требующих особой точности, иногда всю характеристику до участка насыщения представляют в виде наклонной прямой, выходящей из начала координат, а участок насыщения - в виде горизонтальной прямой. [56]
В рабочем диапазоне обратных напряжений при освещении фотодиода обратные токи практически не зависят от приложенного напряжения, хотя обратная ветвь ВАХ фотодиода в затемненном состоянии может не иметь участка насыщения тока. [58]
В рабочем диапазоне обратных напряжений при освещении фотодиода обратные токи практически не зависят от приложенного напряжения, хотя обратная ветвь вольт-амперной характеристики фотодиода в затемненном состоянии может не иметь участка насыщения тока. [60]