Участок - насыщение
Cтраница 2
Для ионизационных манометров обычно выбирают участок насыщения, поскольку при этом не нужна точная стабилизация напря-жения на коллекторе. [16]
За участком неполного сбора следует участок насыщения / /, для которого характерно отсутствие рекомбинаций и полный сбор всех образовавшихся зарядов. В этом случае ионный ток определяется только скоростью образования зарядов. Сигналом детекторов, работающих на участке / /, является увеличение тока, вызванное значительным возрастанием скорости образования заряженных частиц вследствие ионизации анализируемых компонентов, поступающих в детектор. При этом ионизация чистого газа-носителя, как правило, должна отсутствовать и уровень фонового тока может быть весьма малым. [17]
Пологий участок характеристики носит название участка насыщения. Напряжение, при котором наступает режим насыщения, называется напряжением насыщения. [18]
Возрастание оптической плотности экстракта после участка насыщения свидетельствует, по-видимому, об образовании и других малопрочных комплексов. Ход кривой насыщения с переменной концентрацией ванадия ( IV) и постоянной реагента имеет необычный вид уже при соотношении ванадия ( IV): N-БФГА-1: 1, величина оптической плотности экстракта постепенно падает. [19]
Значение напряжения, соответствующее началу участка насыщения, определяется конструкцией прибора и возрастает при увеличении интенсивности светового потока из-за возрастания плотности объемного заряда у поверхности фотокатода. [20]
На стоковых характеристиках МДП-трашисторов также наблюдается участок насыщения, обусловленный увеличением сопротивления канала при повышении напряжения на стоке. [21]
Давление водорода, требуемое для достижения участка насыщения на изотерме адсорбции ( ср. [22]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора по переменному току.| Семейство выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора с управляющим р-я-пе-реходом. [23] |
Пологий участок ВГ характеристики носит название участка насыщения. Напряжение, при котором наступает насыщение тока в канале, называется напряжением насыщения. [24]
Обратная ветвь вольт-амперной характеристики германиевых плоскостных диодов имеет участок насыщения, так как обратные токи германиевых диодов связаны в основном с процессом экстракции неосновных носителей из базы. Допустимое обратное напряжение не превышает 400 В. Пробой германиевых диодов имеет тепловой характер. Поэтому пробивное напряжение уменьшается с повышением температуры. [25]
Таким образом, входная статическая характеристика будет иметь участок насыщения тока затвора, если полевой транзистор сделан из материала с малой шириной запрещенной зоны. В этом случае на обратные токи через p - n - переход ( затвор) практически не будут влиять процессы генерации носителей в области объемного заряда. [26]
Эта формула хорошо описывает нижний загиб сеточной характеристики и участок насыщения. [27]
Вольтамперная характеристика германиевого диода в обратном направлении обычно имеет участок насыщения. [28]
 |
Конструкция мощного германиевого диода ВГВ-1000. [29] |
Вольт-амперная характеристика германиевого диода в обратном направлении обычно имеет участок насыщения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5