Параэлектрическая фаза

Cтраница 1

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости керамического ВаТЮз. [1]

Параэлектрические фазы, устойчивые выше Тс, часто бывают центросимметричными, а упорядочение, происходящее при охлаждении, сводится к понижению симметрии до нецентросимметричной пространственной группы. [2]

В неполярной параэлектрической фазе заряды на донорных и акцепторных центрах компенсируют друг друга и макроскопически, и локально. Возникновение в сегнетофазе модулированного распределения спонтанной поляризации и соответствующих связанных зарядов на поверхности сегнетоэлектрика приводит к перераспределению зарядов по поверхностным состояниям, так что в местах с положительным потенциалом оказывается больше отрицательно заряженных акцепторных центров, и наоборот: в местах с отрицательным потенциалом больше положительно заряженных донорных центров, потерявших электроны. [3]

Элементарная ячейка титаната бария. о - барий, - кислород, - титан. [4]

В исходной параэлектрической фазе элементарная ячейка ВаТЮз имеет кубическую симметрию с параметром решетки равным примерно 4 А. При Т 120 С кристалл переходит в тетрагональную сегнетоэлектрическую фазу, которая при 0 С трансформируется в ромбическую, а затем при - 90 Ч - 70 С - в ромбоэдрическую. [5]

Строение элементарной ячейки кристалла NaNO2 при положительном ( а и отрицательном ( б направлениях дипольного момента.| Температурная зависимость параметра / Vafi для дипольных сегнетоэлектриков. [6]

В параэлектрической фазе диполи распределены беспорядочно, равновероятно по обоим направлениям, а в сегнетоэлектрической - упорядочение, с ориентацией преимущественно в одном направлении. [7]

Предел устойчивости параэлектрической фазы определяется температурой 7 с [ см. выражение (5.71) ], когда частота со становится равной нулю. [8]

Флуктуационную аномалию теплоемкости в параэлектрической фазе в одноосных сегнетоэлектриках можно, видимо, обнаружить лишь с помощью прецизионных экспериментов. Последние данные как будто бы подтверждают выводы теории. На рис. 6.4 представлена температурная зависимость теплоемкости триглицинсульфа-та в параэлектрической фазе в логарифмическом масштабе. Видна весьма малая аномалия теплоемкости, которая, как видно, хорошо описывается логарифмической функцией. [9]

Зависимость реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетоэлект-риков от напряженности по. [10]

Параэлектрики - это нелинейные диэлектрики, находящиеся в параэлектрической фазе при рабочих температурах. [11]

Перспективным является использование в качестве нелинейной среды сегнетоэлектриков в параэлектрической фазе, в применении которых в технике СВЧ достигнуты значительные успехи. [12]

Эта величина является характерной константой важнейшего сегне-тоэлектрического закона Кюри-Вейсса для параэлектрической фазы. Именно существование флуктуашонной размытости фазового перехода в области температур ДТП 20 С приводит к наблюдаемому ниже TQ закону Кюри с константами Ст 3 103 град, и лТт О. Если бы размытость фазового перехода была значительно меньшей, то точке Кюри ВаТ 03 соответствовала бы температура 30 50 К. [13]

Класс 222 ( 7 %) - сегнетова соль в параэлектрической фазе; полупроводниковые соединения CdSb и CdZn и их сплавы; эпсомит MgS04 - 7H20; бензофе-нон. [14]

Внешний габитус кристалла ТГС. [15]

Страницы: 1 2 3 4