Параэлектрическая фаза

Cтраница 3

Полагая, что параметр № ф с понижением температуры линейно растет и при температуре в становится равным единице ( рис. 21.4), для электрической восприимчивости %, выраженной формулой (21.5), а также для диэлектрической проницаемости е х ( при е 1) получим закон Кюри - Вейсса (21.1) в параэлектрической фазе. [31]

Молибдат гадолиния Gd ( MoO4b является типичным и наиболее изученным представителем семейства несобственных сегнетоэлектриков, который испытывает фазовый переход I рода вблизи 160 С. Высокотемпературная параэлектрическая фаза - тетрагональная, низкотемпературная сегнетоэлектри-ческая фаза - ромбическая. [32]

При комнатной температуре структура ромбическая с параметрами элементарной ячейки а 0 5884 нм, Ь - 1 1768 нм, с 0 8220 нм. При высоких температурах в параэлектрической фазе - решетка кубическая структуры перовскита. [33]

Температурные зависимости. 1 - спонтанной поляризаPs. г - коэрцитивного поля. [34]

При прохождении через точку Кюри в процессе охлаждения значения Е и Р, возрастают. По-видимому, при этой температуре кристалл полностью переходит в параэлектрическую фазу. [35]

Симметрия доменной структуры сег-нетоэлектриков определяется принципом Кюри. При фазовом переходе в точке Кюри, когда кристалл переходит из параэлектрической фазы в сегнетоэлектрическую, меняется его симметрия. Разбитый на домены кристалл в целом имеет макроскопическую симметрию, такую же, какую он имел в параэлектрической фазе. [36]

Классическая диэлектроника использует для создания функциональных элементов, компонентов и устройств электронной техники активные диэлектрические материалы в виде керамики, си-таллов, монокристаллов и пленок. В зависимости от требований эти материалы могут применяться в сегнетоэлектрической или нсполярной параэлектрической фазе и в различном исполнении - индивидуальном, гибридном или интегральном. Попутно укажем, что многие из перечисленных материалов обладают повышенной стойкостью к воздействию жестких эксплуатационных условий. [37]

Спонтанная поляризация сегнетоэлектрика резко зависит от температуры. Она обращается в нуль при так называемой температуре Кюри, при которой происходит фазовый переход сегнетоэлектрика из полярной сегнетоэлектри-ческой фазы в неполярную параэлект-рическую. В параэлектрической фазе в кристалле существует только индуцированная поляризация. [38]

У большинства сегнетоэлектриков этот баланс наступает при достаточно высокой температуре, когда нулевые колебания решетки не играют роли. При ТТС сегнетоэлектрик находится в сегнето-электрической фазе и обладает спонтанной поляризацией Рв, причем направление Р в различных областях ( доменах) образца различно. При ТТе сегнетоэлектрик находится в параэлектрической фазе и спонтанная поляризация отсутствует. В некоторых сегне-тоэлектриках действие упорядочивающих сил проявляется лишь при очень низкой температуре; в этих условиях нулевые колебания решетки препятствуют установлению спонтанной поляризации. [39]

Все сегнетоэлектрики в сегнетоэлек-трической фазе обладают пьезоэлектрическими свойствами: переходя в пара-электрическую фазу, кристалл сохраняет пьезоэлектрические свойства или теряет их в зависимости от его симметрии в параэлектрической фазе. Так, тита-нат бария, переходя при 120 С в пара-электрическую фазу с симметрией m3m, перестает быть пьезоэлектриком, а сегнетова соль, испытывая переход от сегнетоэлектрической фазы, ромбической класса 222, в параэлектричес-кую моноклинную класса 2, остается пьезоэлектриком. Кристалл КДП, ди-гидрофосфат калия, в параэлектрической фазе имеет симметрию 42 т и остается пьезоэлектриком. [40]

К имеет место переход первого рода в ромбическую систему. KDP также при комнатной температуре находится в параэлектрической фазе, но при 123 К происходит переход второго рода в ромбическую систему. [41]

Флуктуационную аномалию теплоемкости в параэлектрической фазе в одноосных сегнетоэлектриках можно, видимо, обнаружить лишь с помощью прецизионных экспериментов. Последние данные как будто бы подтверждают выводы теории. На рис. 6.4 представлена температурная зависимость теплоемкости триглицинсульфа-та в параэлектрической фазе в логарифмическом масштабе. Видна весьма малая аномалия теплоемкости, которая, как видно, хорошо описывается логарифмической функцией. [42]

Диэлектрическая проницаемость ес имеет заметную аномалию в точке перехода 245 С. Обратная величина диэлектрической проницаемости имеет разрыв в точке Кюри. Констан - та Кюри, рассчитанная из нак - лона в параэлектрической фазе составляет 2 8 105 К, что сравнимо с постоянной Кюри для ВаТЮз и других кислородно-октаэдрических сегнетоэлектри-ков. По аналогии с титанатом бария можно предположить, что Ba6Ti2 Nb803o обладает фазовым переходом первого рода. [43]

Температурная зависимость электрооптического коэффициента гвз для кристаллов KDP и. [45]

Страницы: 1 2 3 4