Возрастание - обратный ток
Cтраница 3
Таким образом, повышение температуры на каждые 10 С вызывает возрастание величины тока / ко в 2 раза. Увеличение температуры кремниевых переходов на 10 С вызывает возрастание обратного тока почти в 3 раза. [31]
Старение таких материалов очень часто служит причиной деградации, дрейфа осн. Со старением, в частности, связаны: возрастание обратного тока диодов, неуправляемых обратных токов коллекторного и эмиттерпого переходов транзисторов, ухудшение переключающих и др. характеристик. Ухудшение св-в полупроводниковых материалов связано не только с наличием частиц выделений, но и с полями напряжений, к-рые генерируют эти частицы и др. источники. Дополнительное легирование, предварительная деформация, давление, различные виды облучения ( пук-лонное, акустическое, электромагнитное и др.) определенным образом воздействуют на скорость и механизм старения. Некоторые из них применяют для подавления или инициирования того или иного механизма старения с целью получения необходимого спектра св-в. Предварительное состари-вание материалов применяют, напр. Такой обработке часто подвергают измерительные инструменты и детали для прецизионных станков. Диспергирование структуры при ячеистом распаде применяют, напр. [32]
Таковы, например, каскады усиления промежуточной частоты, охваченные системой АРУ и вследствие этого некритичные к изменениям крутизны характеристики ламп. Эти же каскады, как правило, некритичны к возрастанию обратных токов первых сеток. [33]
 |
Полная блок-схема для измерения Los. [34] |
Известно, что это пробивное напряжение существенно уменьшается при возрастании обратного тока коллектора. [35]
Соотношение (8.13) очень хорошо выполняется для реальных р-л-переходов. Однако существуют отклонения от него, заключающиеся главным образом в уменьшении прямого и возрастании обратного тока при некоторых напряжениях. В обратном направлении основное отклонение от (8.13) имеет место вблизи состояния пробоя из-за слишком высокого значения напряженности поля в обедненном слое. При высоком обратном напряжении дырки и электроны приобретают достаточную энергию для генерации новых дырок и электронов, которые в свою очередь создают добавочную ионизацию. При достаточно высокой напряженности обратного поля начинается перевод электронов в полосу проводимости за счет процесса, аналогичного автоэлектронной эмиссии. Эти электроны и дырки, возникающие в валентной полосе, увеличивают проводимость обедненного слоя и приводят к увеличению обратного тока. Разделить лавинный и зинеровский эффекты трудно. Однако предполагают, что используемый в зинеровских диодах пробой в кремнии связан с лавинными процессами. [36]
 |
Подключение электродов МДП-структур к шинам внешнего напряжения. [37] |
Таким образом, если в первый карман цепочки ввести заряд, то при соответствующем изменении напряжения на шинах питания можно осуществить передачу заряда из одного кармана в другой по всей цепочке. Если на выходе цепочки имеется включенный в обратном направлении диод, то появление заряда вызовет возрастание обратного тока диода. [38]
 |
Заполненные состояния в зоне проводимости и в валентной зоне при абсолютном нуле температуры в функции напряжения. [39] |
Поэтому при обратном напряжении туннельный ток течет от полупроводника / г-типа к полупроводнику р-типа. Рисунок 12.2 а показывает, что яри увеличении обратного смещения все большее количество заполненных состояний размещается против незаполненных; следовательно, ток возрастает. Это возрастание обратного тока при увеличении отрицательного напряжения не имеет ограничения. [40]
Применение серийно выпускаемых полимеров без очистки и компаундов на их основе для защиты поверхности деталей полупроводниковых приборов позволяет достичь величины пробивного напряжения - 600 В. Уже при снижении содержания ионных примесей до - 10 - 4 % заметно возрастают все электрические параметры полупроводниковых приборов; пробивное напряжение увеличивается до 800 - 1000 В. Однако при повышении температуры до 125 С наблюдается возрастание вредных обратных токов вблизи р-га-перехода, увеличивается нестабильность приборов во времени. [41]
Тепловой пробой p - n - перехода возникает вследствие потери устойчивого теплового режима. С возрастанием обратного напряжения и тока увеличивается тепловая мощность, выделяющаяся в p - n - переходе и, следовательно, его температура. В свою очередь, увеличение температуры приводит к возрастанию обратного тока и рассеиваемой мощности. При определенной максимально допустимой мощности процесс приобретает лавинообразный характер и p - n - переход разрушается. [42]
В заключение заметим, что скорость электролитического травления полупроводника п типа может быть резко повышена при освещении поверхности кристалла. Это объясняется тем, что в данном случае происходит генерация неравновесных электронно-дырочных пар. Увеличение концентрации свободных электронов на поверхности кристалла приводит к возрастанию обратного тока через р - п переход. [43]
Темп-рный дрейф р определяется миграцией влаги в оксидном слое: начальное снижение р связано с дегидратацией окисленной поверхности и повышением скорости поверхностной рекомбинации в связи с изменением поверхностного потенциала; возрастание р - с обратным процессом гидратации, протекающим при более низкой темп-ре значительно медленнее. Температурный дрейф обычно обратим, однако при длительном старении ( неск. Недостатки такого способа стабилизации транзистора - значит, ( до 2 - 3 раз) снижение р и возрастание обратного тока. У транзисторов с сильно обезвоженной поверхностью возможна обратная картина температурного дрейфа, известная под назв. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5