Cтраница 5
Ток базы / Б задается от генератора тока. Эти характеристики существенно отличаются от выходных ВАХ транзистора с ОБ. Рассмотрим теоретическое выражение (2.3), описывающее выходные характеристики транзистора с ОЭ. Во-первых, обратный ток коллектора при разомкнутой базе / Б 0 определяется выражением / Ko-W - - а) / Ко ( Р 1) и намного превышает обратный ток коллектора транзистора с ОБ. Такое возрастание обратного тока обусловлено наличием положительной обратной связи в транзисторе. Дело в том, что напряжение t / кэ распределяется между коллекторным и эмиттерным р-п переходами, вызывая дополнительное смещение эмиттерного р-п перехода в прямом направлении. В результате этого первичные токи, протекающие через коллекторный р-п переход, оказываются увеличенными в р 1 раз. Следует заметить, что по этой причине выходная проводимость ( и емкость) транзистора с общим эмиттером при наличии генератора тока в цепи базы оказывается увеличенной в f - f - l раз. Это приводит к наличию заметного наклона выходных ВАХ в пологой области. [61]
Способность полупроводникового вентиля выдерживать перенапряжения определяется его обратной вольт-амперной характеристикой, рассмотренной выше. Как видно из этой характеристики ( см. рис. 25), до точки В существует более или менее линейный участок. После этой точки, называемой иногда точкой загиба характеристики, обратный ток начинает возрастать быстрее, чем напряжение, и если источник переменного тока достаточно мощный, что характерно для больших выпрямительных установок, то ток возрастает настолько, что наступает пробой электронно-дырочного перехода. Превышение критической величины обратного напряжения ( точки загиба характеристики) приводит к потере вентилем выпрямляющих свойств. Так как скорость возрастания обратного тока очень велика, то повреждение вентиля происходит даже при кратковременных импульсах перенапряжения. [62]