Возрастание - обратный ток
Cтраница 4
Темп-рный дрейф f5 определяется миграцией влаги в оксидном слое: начальное снижение р связано с дегидратацией окисленной поверхности и повышением скорости поверхностной рекомбинации в связи с изменением поверхностного потенциала; возрастание Р - с обратным процессом гидратации, протекающим при более низкой темп-ре значительно медленнее. Температурный дрейф обычно обратим, однако при длительном старении ( неск. Недостатки такого способа стабилизации транзистора - значит, ( до 2 - 3 раз) снижение р и возрастание обратного тока. У транзисторов с сильно обезвоженной поверхностью возможна обратная картина температурного дрейфа, известная под назв. [47]
 |
Распределение потенциала в р - п - р-транзисторе. [48] |
Отсюда непосредственно видно, на какой компромисс приходится идти при конструировании диодов. Если необходимо, чтобы диод был достаточно быстродействующим, то время существования дырок должно быть уменьшено, например путем введения примесей, действующих как центры рекомбинации. С другой стороны, уменьшение времени жизни дырок уменьшает диффузионную длину, и в соответствии с (8.12) это приводит к возрастанию обратного тока. [49]
Длительность работы звуковой сигнализации регулируется потенциометром R28 Зв непосредственно на объекте при настройке прибора после монтажа. Цепочка, состоящая из резисторов R32 и R34 и диода ДЗЗ, является термокомпенсирующей для транзистора Т14, препятствуя открыванию этого транзистора за счет возрастания обратного тока коллектора при положительных температурах. Конденсатор С13 препятствует открыванию транзистора Т14 при действии электрических помех от сети переменного тока в дежурном режиме. [50]
При охлаждении твердый раствор полупроводник - металл оказывается пересыщенным, в результатах чего образуется вторая фаза в виде металла или его твердого раствора в полупроводнике. Скопления атомов металла выпадают обычно на дефектах, прежде всего на дислокациях. Так как дислокации могут пронизывать p - n - переход, это приводит к его шунтированию проводящими мостиками и, как следствие, к возрастанию обратных токов. [51]
Когда диод включен в прямом направлении, дырки из р-об-ласти впрыскиваются ( инжектируются) в - область, а электроны из п-области - в р-область. В результате этого в непосредственной близости от перехода резко возрастет концентрация неосновных носителей. Если теперь быстро переключить диод в обратное направление, обратный ток его окажется большим, чем это было, когда переключение осуществляли медленно. Возрастание обратного тока связано с тем, что вблизи перехода возросла концентрация неосновных носителей, направленное движение которых и определяет / обр. [52]
 |
Схематические рисунки, иллюстрирующие равновесное состояние р - п-псрехода ( симметричного. [53] |
Это связано с тем, что только р - п-переход к монокристалле обладает в полной мере важной для технического использования полупроводника однородностью. В области р - л-перехода, образующегося между двумя поликристаллическими образцами, всегда имеются кристаллики, поверхности которых лежат поперек р - - перехода. На этих поверхностях возникает ряд нежелательных явлений: скопление примесей, увеличение проводимости за счет перемещения носителей тока по поверхности, усиленная рекомбинация и иногда даже возник-новение микрообластей с обратным знаком проводимости. Все это ведет к возрастанию обратного тока и, следовательно, к ухудшению выпрямления. [54]
 |
Применение специальных режимов ра. [55] |
В некоторых случаях прогнозирование работоспособности изделий электронной техники и узлов может производиться с помощью использования косвенных признаков нарушения работоспособности, называемых иногда предвестниками отказов. Так, известно, что весьма чувствительными признаками приближающегося ухудшения характеристик электронных приборов являются их шумовые характеристики, изменяющиеся раньше, чем наступают заметные изменения других характеристик приборов. Повышение уровня собственных шумов ЭВП предшествует заметному изменению крутизны и анодного тока по наработке приборов до нескольких десятков и даже сотен часов. Для транзисторов подобным предвестником является возрастание обратного тока коллектора. К сожалению, при профилактических работах на РЭА не удается измерять параметры отдельных элементов узлов и блоков, что затрудняет использовать предвестники отказов элементов для прогнозирования отказов аппаратуры в процессе ее эксплуатации. [56]
Испытатель позволяет проверять лампы в режимах, соответствующих принятым в технической документации. Однако даже лампы, параметры которых в процессе эксплуатации изменились в большей степени, чем это допускается технической документацией, во многих каскадах радиоаппаратуры могут оказаться совершенно работоспособными. Таковы, например, каскады усиления промежуточной частоты, охваченные системой АРУ и вследствие этого малокритичные к изменениям крутизны характеристики ламп. На работоспособности этих же каскадов, а также входных каскадов приемников практически не сказывается возрастание обратных токов первых сеток ламп. Все сказанное относится только к тем параметрам, которые постепенно изменяются в процессе эксплуатации. [57]
Условные отказы, связанные с медленным изменением параметров приборов, обусловлены в основном явлениями на поверхности полупроводника. Их причины будут рассмотрены в последующих параграфах. Отметим лишь, что сильный перегрев электронно-дырочного перехода и наличие полей с большой напряженностью могут существенно влиять на скорость протекающих на поверхности процессов. Поэтому и с точки зрения снижения вероятности условных отказов, проявляющихся главным образом в возрастании обратных токов перехода, в снижении коэффициента усиления за счет уменьшения айв возрастании собственных шумов, целесообразно эксплуатационные режимы выбирать ниже максимально допустимых. [58]
 |
Исключение подавления по переменному току при автоматическом смещении. [59] |
Основным фактором, отрицательно воздействующим на стабильность рабочей точки, является обратный ток, текущий через коллекторный переход при условии, что к переходу приложено напряжение, а эмиттерная цепь разорвана. Однако он резко возрастает с увеличением температуры и может быть различным у разных триодов, подобных между собою во всех других отношениях. Теоретически ток / ко почти не должен зависеть от приложенного напряжения, однако в большинстве кристаллических триодов он возрастает с увеличением приложенного напряжения, вследствие утечек в переходе по поверхности полупроводника. Когда величина напряжения, приложенного к переходу, приближается к величине пробивного напряжения для данного перехода, возрастание обратного тока становится более резким. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5