Cтраница 3
Образование побочных максимумов потенциалов у бериллия и магния связано с заполнением подоболочки s2, а минимумов, приходящихся на кислород, серу, селен, теллур и, по-видимому, полоний, обусловлено началом заполнения второй половины р-оболочки и появлением первой пары сшшово-связан-ных р-электронов. Таким образом, появляется небольшой максимум, отвечающий р3 - группе. Аналогичное, хотя и меньшее по величине, возрастание энергии связи внешних d - электронов по мере увеличения заряда ядра z и, следовательно, числа электронов на d - оболочке наблюдается и в рядах переходных металлов от скандия до никеля, от иттрия до палладия и от лантана, гафния до платины. После сформирования d1 - оболочки заполнение 82-подоболочки приводит к побочным максимумам потенциалов у цинка, кадмия и ртути. [31]
Спонтанное деление ядер, находящихся в основном состоянии, возможно, если полная масса осколков деления меньше, чем масса делящегося ядра, или, другими словами, если выделяющаяся в реакции энергия положительна. Этот критерий равносилен ( см. уравнение (4.7)) возрастанию энергии связи для продуктов деления. [32]
По данным работ [112, 129] металлы по их влиянию на образование отложений углеродного вещества располагаются в следующем нисходящем ряду: ( никель, медь), кобальт, ( молибден, ванадий), ( железо, хром), свинец, ( бериллий, магний, кальций, стронции), литий, натрий, калий, цезий. Эти же авторы установили, что скорость углеродообразования увеличивается с возрастанием энергии связи металла с углеродом. [33]
Зависимость коэффициента разделения Н и Т от заряда поверхности электрона. [34] |
Это расстояние определяется исходным положением иона гидроксония по отношению к электроду и, естественно, зависит от сил притяжения и отталкивания. Силы притяжения в основном электростатические, поэтому целесообразно сравнивать данные для разных металлов при одинаковом заряде поверхности. Такое сравнение представлено на рис. 4.9. В полном согласии с приведенными выше соображениями коэффициент разделения изотопов возрастает в ряду амальгама Tl C Pb Hg Ga, совпадающем с рядом возрастания энергии связи. [35]