Ферми-поверхность

Cтраница 2

Вторая причина размытия Ферми-поверхности состоит в том, что электроны рассеиваются из-за беспорядочного расположения ионов ( см. гл. [16]

Квазиимпульсы электронов расположены вблизи ферми-поверхности и в этом смысле от температуры практически не зависят. Но при низких температурах становятся малыми квазиимпульсы фононов, в связи с чем процессы переброса могут оказаться затрудненными. В этом отношении ситуация существенно различна в случаях закрытых и открытых ферми-поверхностей. [17]

Но скорость электронов у ферми-поверхности обычно велика по сравнению со скоростью фононов, так что это условие выполнено и основной вклад в электрон-фононный интеграл столкновений вносят именно указанные однофононные процессы. [18]

Общий вид энергетических зон для Pb ( Z4, ГЦК решетка. [19]

Теперь рассмотрим схему построения ферми-поверхности в том же приближении пустой решетки на примере РЬ. [20]

Теплопроводность же металла с закрытой ферми-поверхностью остается конечной и при пренебрежении процессами переброса. [21]

Рассмотрим некомпенсированный металл с закрытой ферми-поверхностью. [22]

Из-за этого в большинстве металлов ферми-поверхность ничем не напоминает сферу. Исключение составляют в основном щелочные металлы. Но и с учетом сложной зависимости энергии от импульса электроны еще можно было бы строго рассматривать как газ в поле ионов решетки, что иногда и делается. Строго учесть действие электронов друг на друга пока вообще не удалось. [23]

Построение Ферми-поверхностей для двумерной квадратной. [24]

Харрисоном [14] был предложен метод построения Ферми-поверхности в приближении свободных электронов. [25]

Равным единице он должен быть для круговых ферми-поверхностей при низких температурах. Измерения эффекта Холла, не подкрепленные соответствующей теорией рассеяния, не могут однозначно определить подвижность или концентрацию носителей. При температурах, превосходящих 40 К, расчеты должны вестись в многозонной теории. [26]

От него можно перейти к распределению по ферми-поверхности, написав элемент объема d p в виде dedS / v (74.19), проинтегрировав по de dr и приближенно заменив зависящие от е элемент площади изоэнергетической поверхности dS и скорость v их значениями dSp и VF на ферми-поверхности. [27]

От него можно перейти к распределению по ферми-поверхности, написав элемент объема & р в виде dsdSjv ( 74 19), проинтегрировав по dB - df и приближенно заменив зависящие от Б элемент площади изоэнергетиче-ской поверхности dS и скорость v их значениями dSF и vp на ферми-поверхности. [28]

Эти состояния находятся в узкой области вблизи ферми-поверхности, и их энергия слабо зависит от температуры. Для электронов в отличие от фононов эффективное сечение рассеяния на статических решеточных дефектах практически одинаково для всех электронов. Расчеты сечений рассеяния на различных типах дефектов применимы для нахождения как электронной теплопроводности, так и электропроводности. [29]

Интегрирование в Jp производится по всем листам ферми-поверхности в пределах одной элементарной ячейки обратной решетки. [30]

Страницы: 1 2 3 4