Вторичная адсорбция

Cтраница 1

Вторичная адсорбция происходит вблизи поверхностей, имеющих заряд, противоположный заряду ионов радиоэлемента. [1]

Вторичная адсорбция наблюдается, например, при поглощении радиоактивных катионов свинца осадками галогенидов серебра или поглощении изотопа свинца гипсом, осажденным большим избытком серной кислоты. По указанным выше причинам гипс, осажденный избытком ионов кальция, не поглощает ионов свинца. Адсорбции висмута, полония и др. элементов на стекле присущи черты как первичной, так и вторичной адсорбции. [2]

Вторичная адсорбция происходит вблизи поверхностей, имеющих заряд, противоположный заряду ионов радиоэлемента. [3]

Вторичная адсорбция целиком регулируется электростатическими силами и зависит от ионной силы раствора. Если в растворе присутствуют различные ионы, заряды которых обратны по знаку заряду поверхности, то они будут принимать участие в создании вторичного адсорбционного слоя. [4]

Адсорбция ThB на заранее образованных осадках Ag2C204 или Ag3P04. [5]

Вторичная адсорбция в сильной степени зависит от заряда поверхности осадка, обусловливаемого количеством ионов, адсорбированных в мономолекулярном слое кристалла. [6]

Вторичная адсорбция обусловлена кулоновскими ( электростатическая адсорбция) или ван-дер-ваальсовыми ( молекулярная, или дисперсионная адсорбция) силами. [7]

Вторичная адсорбция также подразделяется на два вида: вторичную обменную и ван-дер-ваальсову. Характерной особенностью вторичной адсорбции является то, что адсорбированные ионы не входят в кристаллическую решетку осадка и образуют ионную оболочку около заряженной поверхности кристалла. [8]

Вторичная адсорбция также подразделяется на два вида: вторичную обменную и ван-дер-ваальсову. [9]

Вторичная адсорбция также подразделяется на обменную и вандерваальсову. Последняя приводит к удержанию вблизи всей поверхности адсорбента как ионов, так и молекул, вследствие чего формируется слой ориентированных дипольных молекул растворителя, а также недиссоциированных молекул, что служит причиной дополнительного скачка потенциала на поверхности раздела фаз. [10]

Вторичная адсорбция весьма сильно возрастает с увеличением заряда адсорбируемых ионов и с уменьшением растворимости образующегося в результате ее адсорбционного соединения. [11]

Вторичная адсорбция идет с образованием двойного электрического слоя. Вблизи поверхности адсорбента собираются ионы определенного знака, а вокруг этого слоя собирается второй слой ионов противоположного знака. [12]

Поскольку вторичная адсорбция в чистом виде относится к адсорбции неизотопных и неизоморфных ионов, неспособных к внедрению в кристаллическую решетку адсорбента, условие трудной растворимости не имеет к ней прямого отношения. Поэтому возможность ( или невозможность) вторичной адсорбции определяется исключительно вторым условием. Что же касается количественной стороны вторичной адсорбции, то она в значительной степени определяется рассмотренными выше уравнениями Ратнера. [13]

Структура двойного электрического слоя на границе между кристаллом Agl и раствором. [14]

Рассмотрим теперь вторичную адсорбцию. [15]

Страницы: 1 2 3 4