Фликкер-шум

Cтраница 1

Фликкер-шум, обусловленный током утечки закрытого диода, таким образом, учитывается дважды: один раз как аддитивная помеха, а второй раз как мультипликативная. [1]

Фазовый фликкер-шум ( fl) наблюдается в транзисторах и может быть обусловлен явлением диффузии через барьер. [2]

Теория фликкер-шума в ПП разработана лишь в общих чертах. Как правило, шум типа ilf, наблюдается в диапазоне частот от самых низких до 10 кгц. [3]

Явление фликкер-шума исключительно широко представлено в природе. Оно характерно практически для всех сложных систем, как естественного, так и искусственного происхождения, и его примеры можно найти в самых разных областях - от биологии до астрофизики. Такое поведение спектра мощности на низких частотах означает, что значительная часть энергии связана с очень медленными процессами. [4]

Расчеты фликкер-шума встречаются в литературе, однако вследствие недостаточной ясности его физической природы практическое значение таких расчетов невелико. [5]

Третий источник фликкер-шума РК обусловлен естественной ( влияние гравитационных сил) и вынужденной ( перемешивание раствора тангенциальными движениями поверхностных слоев ртути) конвекцией. Роль естественной конвекции значительна и подтверждается сильной зависимостью тока и уровня шума от ориентации РК в пространстве. [6]

Подчеркнем, что фликкер-шум можно считать черным шумом только при 0 ос 1; при 1 а 1 4 фликкер-шум является нестационарным процессом. [7]

Шум мерцания ( фликкер-шум) обусловлен изменением эмиссионной способности различных участков поверхности катода. [8]

В электронных лампах фликкер-шум возникает из-за немедленных случайных изменений эмиссионной способности поверхности катода, в угольных сопротивлениях - за счет флуктуации в контактном сопротивлении между гранулами, в керамических конденсаторах - из-за токов теплового возбуждения в материале. В полупроводниковых приборах со смещением фликкер-шум является следствием в основном генерации и рекомбинации неосновных носителей заряда. Оба эти процессы протекают внутри и на поверхности полупроводника. [9]

Здесь учитывается только фликкер-шум, спектральная плотность которого значительно возрастает с уменьшением частоты. [10]

Сложный характер зависимости фликкер-шума от частоты ( в одних случаях как I / / 2, в других как 1 / /) потребовал рассмотрения нескольких механизмов, каждый из которых описывается своим временем релаксации. Аналитически можно показать, что такой подход дает хорошее описание наблюдаемой зависимости. Во многом учет больших времен релаксации соответствует признанию существования некоторых диффузионных процессов, проходящих сравнительно медленно, но обусловливающих избыточный шум. [11]

Рассмотрим сравнительные характеристики магнитного фликкер-шума сердечников из материала 40НКМ ( 40 % Ni, 25 % Со, 4 % Мо, 2 5 % Ge, остальное Fe) [161], выполненных в виде тороидов со средним диаметром 16 мм, свитых из лент толщиной 20 мкм и шириной 10 мм. Хорошо видно ( рис. 78), что уровень мощности фликкерной составляющей магнитных шумов у образца с прямоугольной петлей гистерезиса, где преобладают смещения 180 -границ, выше мощности шума образца со стреловидной петлей примерно на четыре порядка. [12]

Пример фликкер-шума - ток биполярного транзистора ( Wolf, 1978. [13]

Это явление называется фликкер-шумом. [14]

Результаты экспериментов в области фликкер-шума показывают, что при достижении рабочим током величин ниже 200 мка наблюдается возрастание величины Кг опт - Это значит, что в данной области упрощенные выражения ( 25) и ( 26) не отражают истинной шумовой картины. Однако для исследованных кремниевых пла-нарных транзисторов это объяснение оказалось неприменимо. [15]

Страницы: 1 2 3 4