Форма - фронт - кристаллизация
Cтраница 1
Форма фронта кристаллизации определяется соотношением осевого и радиального градиентов температуры, которые зависят от тепло-и массопереноса в расплаве и над ним. Перенос теплоты в расплаве при выращивании кристаллов методом Чохральского осуществляется конвекцией и только в тонком диффузионном слое у фронта кристаллизации кондуктивным способом. [1]
Форма фронта кристаллизации определяется условиями теп-лоотвода через растущий кристалл. [2]
Исследования формы фронта кристаллизации при выращивании бездислокационных монокристаллов германия и кремния свидетельствуют о том, что совершенная структура образуется только при определенной конфигурации границы раздела фаз. Рози [26] наблюдал, что плоская или несколько выпуклая к расплаву поверхность роста приводит к кристаллам с минимальной плотностью дислокаций. [3]
При изучении форм фронта кристаллизации следует особо выделить монокристаллы ориентации [111], где зеркально-гладкая грань ( 111) занимает значительную площадь фронта вплоть до всего поперечного сечения. [4]
Известно, что форма фронта кристаллизации, степень его изрезанности оказывает существенное влияние на эффективность процессов кристаллизационной очистки веществ. [5]
Какую роль играет форма фронта кристаллизации в образовании структурных дефектов. [6]
 |
Схема вырождения пластинчатой структуры в сотовую. [7] |
Об этом свидетельствует форма фронта кристаллизации, наблюдаемого в закаленных образцах. Отставание аустенитных пластин способствует обогащению жидкости около них примесями. [8]
Обычно для выявления формы фронта кристаллизации используют метод отрыва, заключающийся в том, что в определенный выбранный момент времени резко увеличивают скорость перемещения кристалла, в результате происходит отрыв его от поверхности расплава. Чем выше скорость отрыва, тем более точно поверхность отрыва отражает фронт кристаллизации. Недостатком этого метода является то, что к части поверхности всегда прирастает затвердевающая капля. Кроме того, небольшое количество жидкости может удерживаться межфазным натяжением на других частях поверхности, искажая истинную структуру поверхности отрыва. При отрыве разрыв происходит по жидкой пленке и, следовательно, надежно судить о том, что часто образующиеся на поверхности отрыва террасы связаны с процессом роста, можно только при условии, что их высота больше толщины приставшего к кристаллу жидкого слоя. При бестигельной зонной плавке применяется разновидность этого метода - зона резко выдувается направленным потоком инертного газа или выливается при выбивании выращенной части кристалла молотком. [9]
Приведенная выше классификация форм фронта кристаллизации присуща только дислокационным монокристаллам. Как будет показано ниже, однозначно определить форму фронта кристаллизации невозможно, не учитывая кристаллографическую ориентацию растущего монокристалла и его дислокационную структуру. [10]
 |
Кристаллизационное переохлаждение ( а и способ его устранения ( б. [11] |
На формирование монокристалла влияет форма фронта кристаллизации. Так как рост кристалла всегда происходит в направлении, перпендикулярном фронту кристаллизации, тов при выпуклом фронте увеличивается вероятность исчезновения в процессе роста побочных центров кристаллизации и, следовательно, получения структурно совершенного монокристалла. Влияние на форму фронта кристалли: зации можно оказывать, изменяя условия теплоотвода через растущий кристалл. Кроме того, выращивать монокристаллы удается, используя контейнеры специальной формы или применяя монокристаллические затравки. [12]
 |
Кристаллизационное переохлаждение ( а и способ его устранения ( б. [13] |
На формирование монокристалла влияет форма фронта кристаллизации. Так как рост кристалла всегда происходит в направлении, перпендикулярном фронту кристаллизации, то при выпуклом фронте увеличивается вероятность исчезновения в процессе роста побочных центров кристаллизации и, следовательно, получения структурно совершенного монокристалла. Влияние на форму фронта кристаллизации можно оказывать, изменяя условия теплоотвода через растущий кристалл. Кроме того, выращивать монокристаллы удается, используя контейнеры специальной формы или применяя монокристаллические затравки. [14]
Анализ результатов изучения изменения формы фронта кристаллизации позволяет установить оптимальные режимы выращивания для обеспечения требуемого фронта кристаллизации. Таким образом, управляя режимом выращивания и примесным составом кристаллов, можно добиться получения монокристаллов кремния с заданным распределением УЭС как в осевом, так и в радиальном направлениях. [15]
Страницы: 1 2 3 4