Форма - фронт - кристаллизация
Cтраница 2
Это вызывает некоторое искажение формы фронта кристаллизации. [16]
Форма полос связана с формой фронта кристаллизации. Однако в этом случае процесс роста становится крайне нестабильным, в кристаллах образуется коленчатый изгиб, приводящий к изменению диаметра. Оптимальный подбор ростовых ус ловий позволяет получить плоский фронт кристаллизации при скоростях вращения 50 - 60 об / мин, а для кристаллов диаметром не более 10 - 12 мм при 120 об / мин. [17]
Изменение теплопроводности кристаллов также влияет на форму фронта кристаллизации. Большая величина оптического поглощения диспрозий-алюминиевого граната ( ДАГ) по сравнению с ИАГ обусловливает больший температурный градиент в кристаллах ДАГ и, как следствие, меньшую степень развития гранных форм на фронте кристаллизации. [18]
Форма ростовых полос в кристалле непосредственно связана с формой фронта кристаллизации. Если фронт мало отличается от плоского, то регулярные полосы в кристалле практически параллельны друг другу по всему сечению кристалла и параллельны плоскости фронта. [19]
 |
Вид поперечных сечений сварочных ванн при заданных размерах р и h и различных значениях ю и Ф. [20] |
Показатели степени ц и т в этом уравнении определяют форму фронта кристаллизации в плоскости симметрии шва, Tj и v - в плоскости поверхности шва и ш и О - в плоскости поперечного сечения шва. [21]
Основной эффект, возникающий на межфазной границе в результате охлаждения дна, заключается в изменении формы фронта кристаллизации с образованием поверхности раздела, обращенной выпуклой стороной к расплаву. Кроме того, при охлаждении дна тигля стабилизируется движение расплава, и конвекция становится более регулярной. Однако эффекты охлаждения основания тигля незначительны по величине, и его целесообразно применять лишь в специфических случаях: в условиях малых температурных градиентов и почти плоских поверхностей раздела. Для технологии НБН серьезную проблему представляет склонность этих кристаллов к растрескиванию. Ясно, что наличие градиента температуры вдоль оси с при прохождении кристалла через этот участок провоцирует растрескивание. [22]
 |
Теоретические кривые распределения примеси, внесенной в начальную часть слитка после одного прохода зоны для различных. [23] |
Применяя метод выращивания с переменной скоростью вытягивания, нужно учитывать такие факторы, как изменение формы фронта кристаллизации и необходимость программированного изменения температуры расплава; поэтому применение данного метода в общем случае весьма ограничено. [24]
Успех выращивания монокристаллов в значительной мере определяется двумя взаимно дополняющими друг друга факторами: 1) формой фронта кристаллизации и 2) степенью концентрационного переохлаждения, возникающего в расплаве перед поверхностью раздела. [25]
Особое место при дальнейшем развитии теории кристаллизации в больших объемах, как уже указывалось, должна занять проблема устойчивости формы фронта кристаллизации, которой в последнее время уделялось большое внимание. [26]
Изменение скоростных условий процесса роста монокристалла оказывает влияние не только на градиенты температуры в расплаве, но и на форму фронта кристаллизации ( рис. 4.5), хотя она в основном зависит от условий отвода тепла от растущего монокристалла. [28]
В объеме монокристаллов, выращенных по методу Чохральского, типичным является полосчатое распределение ЛЭ по длине монокристалла, повторяющее форму фронта кристаллизации. На характер полосчатого распределения ЛЭ в продольном сечении кристалла влияют также нестабильность скоростей вращения и перемещения тигля и кристалла, вибрация кристалла и расплава, изменение температуры нагревателя, воды, охлаждающей камеру установки. [29]
Специфические технологические особенности CdSnAs2, как то: небольшая разница Тпл и Тк, склонность к трещинообразованию и др. 1.5 - 7 ], требуют разработки определенных условий кристаллизации вещества: 1) повышение стабильности расплавленной зоны, 2) управление формой фронта кристаллизации, 3) уменьшение возможности появления концентрационного переохлаждения, 4) уменьшение или устранение прилипания слитка к стенкам контейнера и появление поверхностной шлаковой пленки. [30]
Страницы: 1 2 3 4