Формирование - кристалл
Cтраница 1
Формирование кристаллов является ярким примером образования структур в неравновесных условиях. Важной проблемой при изучении образования кристаллов является проблема отбора структуры в различных условиях ее формирования. Действительно ли необходимо включать в теорию детерминированного роста стохастический шум для появления разных типов ветвящихся структур. Или чисто детерминированные модели нелинейных диссипативных систем содержат механизмы отбора структуры сами по себе. [1]
Вблизи формирования кристалла скорость газа небольшая, что позволяет получить большое сечение факела, обволакивающего растущий кристалл. Газовые потоки в двух других кварцевых трубах обеспечивают регулирование температурного режима горелки. [2]
На формирование кристаллов влияет и теплообмен образующейся системы жидкость - твердая фаза с окружающей средой. [3]
Скорость формирования кристаллов при выделении вещества из раствора или расплава зависит от большого числа факторов. Одним из наиболее общих условий при сопоставлении разных веществ является степень симметрии кристаллов и степень симметрии самих частиц, из которых он образуется. Чем симметричнее расположены частицы в кристалле, тем большее число различных относительных положений частиц отвечает правильному положению их в кристалле. Например в кристалле NaCl для каждого данного иона натрия существует шесть положений иона хлора, равноценных между собой и отвечающих нормальному расположению этих ионов в кристалле При формировании же кристаллов силикатов, обладающих структурой с низкой симметрией ( см. гл. III, § 4), число равноценных относительных положений ионов, отвечающих нормальному расположению их в кристалле, значительно меньше. [4]
При формировании кристалла нарастает все больше и больше ячеек, поэтому форма грани кристалла зависит от геометрической формы ячейки. Разумеется, скорость роста кристалла в разных направлениях различна, так что внешние грани кристалла не являются просто повторением формы ячейки. Но совершенно ясно, что углы между сторонами грани кристалла равны углам между сторонами ячейки, поэтому для ответа на поставленный в задаче вопрос нам достаточно указать, что не может существовать ячеек в форме правильного пятиугольника. [5]
При формировании кристаллов в обычных условиях, в особенности кристаллов технических продуктов, строгая периодичность в расположении структурных элементов несколько нарушается, что выражается в появлении дефектов структуры. [6]
 |
Кривые осаждения СаСОз в насыщенном растворе NaCl ( исходная концентрация СаС12 - г / дм3. [7] |
Образование и формирование кристаллов карбоната кальция протекает значительно сложнее. Первично выпадающие очень мелкие частицы СаСОз подвержены рекристаллизации с образованием достаточно крупных кристаллов размером 8 - 10 мкм. По данным [288], первичные частицы образуются в начале периода индукции, постепенно число кристаллов увеличивается, а их размеры возрастают. В конце периода индукции возникают крупные хлопья, а полная кристаллизация карбоната кальция заканчивается на стадии уплотнения. [8]
Единственным источником формирования кристаллов парафина являются молекулы парафина, растворенные в нефти, конденсате или нефтеконденсатной смеси и выстраивающие кристаллическую решетку твердой фазы. [9]
В таких случаях формирование св-в кристалла является результатом взаимод, дефектов, обусловленных как Н, так и посторонними примесями. Си ( хальнеконы), получают нек-рые кристаллофосфоры. [10]
Большую роль при формировании кристалла играют примеси, которые распределяются в нем неравномерно, делая его неоднородным. Кроме того, примеси, адсорбируясь на гранях, уменьшают скорость их роста, чем изменяют форму кристалла. К примесям следует отнести все соединения, мало растворимые в условиях выполнения реакции обмена: продукты диссоциации и разложения, присутствие которых ослабляет поверхностную энергию кристаллов по высказанным выше соображениям и приводит к изменению их формы. Если же примесь изоморфна с основным веществом, оно может быть замещено при росте примесью на любом направлении роста, на любой грани. [11]
Следовательно, хотя при формировании эмульсионных кристаллов и нет стесненных условий роста, как это наблюдается при кристаллизации из расплава, тем не менее описанный механизм приводит к субструктуре, подобной мозаичной структуре микрокристаллов. Кроме того, не исключена возможность коалесценции мелких полиэдрических кристаллов и образование двойниковых форм. Все это хорошо согласуется как с описанной картиной фотолиза изолированных микрокристаллов, так и с опытами их травления. [12]
В результате экспериментального изучения условий формирования кристаллов аметиста в упомянутой системе, а также сравнительного исследования некоторых физических свойств синтетических и природных кристаллов аметиста было установлено следующее. Кристаллы аметиста образуются в сравнительно широком диапазоне температур кристаллизации ( от 320 до 420 С), причем увеличение скорости роста способствует повышению интенсивности окраски. [13]
В присутствии добавки железа торможение процесса формирования кристаллов графита в нанодисперсной матрице обусловлено активным взаимодействием серы с железом, что ограничивает появление эвтектики. При вакуумной термообработке высокосернистых углеродных материалов время существования эвтектики сокращается вследствие интенсивной десорбции соединений на основе углерода и серы. [14]
При повышении температуры обжига ускоряется процесс формирования кристаллов оксида кальция, сопровождаемый усадкой пор с одновременным увеличением их среднего размера. Общий объем пор при этом уменьшается. При увеличении продолжительности изотермического обжига поры приобретают монодисперсный характер. [15]
Страницы: 1 2 3 4