Формирование - кристалл
Cтраница 3
 |
Электронные микрофотографии порошков при увеличении 20 000. [31] |
Возможно, что их действие сводится в основном к влиянию на кинетику процесса разложения и на формирование кристаллов Сг02, что в свою очередь сказывается на характеристиках магнитных свойств. Исследование причин действия добавок представляет самостоятельный интерес и проводится авторами в настоящее время. [32]
 |
Валентная структура атома германия ( а, возникновение свободного электрона и дырки в кристалле ( б и отражение этого процесса в энергетической диаграмме ( в. [33] |
Так, при наличии четырех валентных электронов у атома, как у германия и кремния, каждый атом при формировании кристалла связывается парно-электронной связью с четырьмя соседними. Парно-электронные связи на рис. 1.12, б условно обозначены двумя параллельными прямыми, связывающими атомы, расположенные в соседних узлах кристаллической решетки. [34]
 |
Кривые релаксации напряжения кристаллических ( /, 2, частично кристаллических ( 3 и аморфных ( 4, 5 полимеров. [35] |
Общим свойством кристаллических и кристаллизующихся полимеров является невозможность разделения образца на кристаллическую и аморфную фазы, так как в процессе формирования кристалла одна и та же макромолекула может входить и в кристаллическую, и в аморфную области ( см. гл. Полимерные кристаллы таким образом являются дефектными структурами, так как при формировании кристаллической фазы в макромолекулах, охваченных ею, возникают внутренние напряжения вследствие их гибкости и стремления к реализации свободы вращения вокруг связей в главной цепи. Эти напряжения препятствуют дальнейшему росту кристаллической области, и устанавливается равновесие между кристаллической и аморфной фазами полимера. [36]
Наконец, необходимо принимать во внимание и условия возникновения кристаллов при дайной их величине: чем больше искажается решетка в процессе формирования кристаллов, тем выше давление диссоциации. [37]
Наконец, необходимо принимать во внимание и условия возникновения кристаллов ( данного размера); чем больше искажается решетка в процессе формирования кристаллов, тем выше давление диссоциации. [38]
Теория электрокристаллизации должна объяснять течение катодного процесса, начиная от появления после разряда первых свободных атомов и зародышей кристаллов в виде кристаллических или коллоидных частиц и вплоть до формирования кристаллов и образования металлических покрытий на катодах. [39]
Отвод атомов железа играет незначительную роль, так как плотность цементита мало отличается от плотности жидкого раствора, и почти все атомы железа, прилегающие к поверхности, используются при формировании кристалла. [40]
 |
Термограммы плавления пленок полиэтилентерефталата, закристаллизованных из расплава при течении. [41] |
Таким образом, процесс кристаллизации из расплава при молекулярной ориентации можно рассматривать как бикомпонентную кристаллизацию, при которой, как и в случае образования волокнистых структур при кристаллизации из растворов, на начальной стадии происходит формирование кристаллов пакетного типа. Однако в силу описанных выше причин автор и на этот раз заколебался и изменил свою точку зрения. Может показаться странным, что при обсуждении природы явления складывания макромолекул в заключении к данному разделу автор даже не воспользовался данными о преимущественном образовании складчатых кристаллов в таких условиях, однако у него есть на это свои причины. [42]
Присутствие в шихте In, Sn, Cu, Ga, Sb, как уже отмечалось, позволяет снизить скорость роста алмаза до 3 - 10 - 7 м / с, что приводит к формированию кристаллов, в которых включения выделены слабо либо отсутствуют ( см. рис. 142, в) или могут наблюдаться, как правило, вблизи центра роста. [43]
Процесс электрокристаллизации металлов, несмотря на свою специфичность, протекает в основном по законам, являющимся общими для процесса образования кристаллов при конденсации пара или выделения твердой фазы из раствора. Формирование кристаллов связано с двумя последовательно протекающими стадиями: образованием кристаллического зародыша внутри гомогенной фазы ( газа, раствора) или на поверхности твердой фазы и его последующим ростом. [44]
Атомы кальция, стронция и бария, обладая электронной конфигурацией Зр6 4s2, 4p65s2 и 5p66s2, имеют несколько меньший второй ионизационный потенциал по сравнению с Al Mg Be. При формировании кристалла оба валентных s - электрона делокализуются. Возникшие ионы имеют заполненные р-оболочки, что способствует образованию объемно-центрированной решетки. Плавление кальция, стронция и бария не сопровождается изменением расположения ионов, тип их упаковки напоминает распределение атомов щелочных металлов. [45]
Страницы: 1 2 3 4