Формирование - кристалл
Cтраница 2
Смещение энергетических уровней наблюдается и при формировании кристаллов, причем количество смещенных уровней по отношению к исходному в атоме равно числу атимов в рассматриваемом объеме монокристалла. [16]
Показано, что основным фактором, обеспечивающим активное формирование кристаллов графита при сравнительно низких температурах в высокосернистых материалах, может быть образование своеобразной эвтектики - соединения на основе углерода и серы, которое образуется на поверхности микропор или на границах ОКР углеродного материала при температурах десульфуризации. Появление такой промежуточной фазы резко стимулирует массоперенос и обеспечивает активный рост кристаллов в локальных микрообъемах материала по механизму жидкофазной графитации. [17]
Кроме указанных выше факторов, большое влияние на формирование кристаллов оказывают условия приготовления геля и режим кристаллизации. [18]
Обрабатывать магнитным полем водную систему предпочтительно до начала процесса формирования кристаллов. Так, применительно к оборудованию, работающему в скважинах, склонных к соле-отложению, желательно устанавливать источник магнитного поля в нижней части колонны. [19]
В чем сущность концентрационного переохлаждения и как оно влияет на формирование кристаллов в процессе кристаллизации. [20]
Современные теории кристаллизации дают удовлетворительное объяснение возникновения, роста и формирования кристаллов из газов, растворов и расплавов. Однако большинство из них предполагают кристаллизацию индивидуального вещества, образующего пересыщенный раствор в определенном растворителе, а не малорастворимого вещества, получающегося в реакции обмена, когда концентрация его в маточном растворе уже в начальной стадии кристаллизации становится ничтожной. [21]
При охлаждении мыльного расплава протекают одновременно два процесса: зарождение и формирование кристаллов ( волокон) и связывание их друг с другом с образованием структурного каркаса смазки. [22]
 |
Схематическое изображение участка кристаллической решетки германия. Сдвоенные точки изображают электроны. [23] |
Проводимость полупроводника может быть увеличена за счет добавления примесей в процессе формирования кристаллов. Чдсло валентных электронов в атомах этих примесей должно быть больше или меньше, чем в атомах германия или кремния. Так, например, если в кристалл полупроводника введен атом мышьяка, имеющий пять валентных электронов, то лишь четыре электрона этого атома оказываются занятыми в валентных связях, а пятыц свободно перемещается в кристалле. [24]
 |
Зависимость скорости фильтрования Кф при обезмасливании петролатума 1 1 и петролатума 2 ( 2 от концентрации смол в сырье С. [25] |
Так, модификаторы структуры ал-килфенольного, алкилсалицилатного и алкилнафталинового типа способствуют [192] формированию кристаллов твердых углеводородов в виде компактных агрегатов и тем самым позволяют увеличить скорость и четкость отделения твердой фазы от жидкой. [26]
В нефтях кристаллизация углеводородов происходит в присутствии смол и асфальтенов, влияющих на формирование кристаллов. [27]
Образующиеся зародыши обладают тенденцией к росту - служат центрами кристаллизации, на которых происходит формирование кристаллов твердых компонентов, т.е. увеличение частиц дисперсной фазы. При этом зародыши кристаллов формируются из кристаллов наиболее высокоплавких компонентов, на кристаллической решетке которых последовательно кристаллизуются компоненты с меньшей температурой плавления и меньшим числом атомов углерода в молекуле. [28]
Поэтому можно полагать, что кристаллизация полимеров представляет собой лишь частный случай общих закономерностей формирования кристаллов. [29]
Успешное использование аморфных затравок в синтезе фожазита показало, что основную организующую роль в процессе формирования кристаллов играют не готовые изоструктурные зародыши, а какие-то вторичные строительные элементы, образующиеся на определенной стадии старения щелочного алюмо-силикатного гидрогеля. Эти комплексы могут строиться из цепей и колец тетраэдров Si04 и А104, окружающих катионы в растворах, а в результате конденсации и полимеризации возникших таким образом структурных элементов могут образовываться стабильные зародыши кристаллизации. [30]
Страницы: 1 2 3 4