Формирование - фронт - импульс
Cтраница 1
 |
Запуск триггера с раздельными входами. [1] |
Формирование фронтов импульсов является сложным процессом. На первой и третьей стадиях по крайней мере один из транзисторов заперт, что существенно облегчает анализ. [2]
Формирование фронтов импульсов является сложным процессом как в ламповом, так и в транзисторном триггере. На первой и третьей стадиях по крайней мере один из транзисторов заперт, что существенно облегчает анализ. [3]
Во время формирования фронта импульса напряжение на коллекторах транзисторов изменяется от величины - Ек практически до нуля. [4]
 |
Эквивалентные схемы блокинг-генератора в стадии формирования импульса. [5] |
После окончания формирования фронта импульса коллекторный и базовый токи, а также ток нагрузки достигают своего максимального значения. [6]
Показанная схема формирования фронта импульса обратного напряжения позволяет на некоторых типах диодов с накоплением заряда получить длительность перепада между прямым током и установившимся значением обратного напряжения порядка 0 2 - 0 3 нсек. Переходный процесс изменения обратного тока диода ИД измеряется стробоскопическим осциллографом СО, входное сопротивление которого должно быть согласовано с волновым сопротивлением кабеля, соединяющего ИД со входом СО. [7]
Эквивалентная схема для анализа процесса формирования фронтов импульса приведена на рис. 21.9, в. В этой схеме не учтены индуктивность рассеивания и паразитные емкости схемы; опущена индуктивность Lp. С, сопротивление которой во время фронта равно нулю. [8]
Анализ временных соотношений показывает, что формирование фронта импульса подсвета занимает не более половины времени задержки. [9]
 |
Эквивалентная схема для области насыщения. [10] |
Ранее отмечалось, что в конце формирования фронта импульса транзистор попадает в область насыщения и перестает функционировать как активный элемент. [11]
Ток базы транзистора к моменту окончания формирования фронта импульса достигает максимального значения iGic 1с макс, а затем в процессе формирования крыши импульса по мере заряда конденсатора С убывает по экспоненциальному закону - с-достоян-нон времени тс Сгв. [12]
Поступающий с выхода схемы задержки импульс запускает блокинг-одновибратор формирования фронта импульса. На выходе блокинга-одновибратора получается импульс с крутым фронтом, который одновременно подается в две цепи, на блокинг-одновибратор широкого импульса и в канал формирования спада выходного импульса прибора. [13]
В течение интервала времени / 2 - / t происходит формирование фронта импульса тока коллектора г к и выходного напряжения ик. [14]
Полученная форма базового тока обеспечивает глубокую степень насыщения транзистора в момент формирования фронта импульса, что сокращает длительность последнего. Однако избыточный заряд носителей в базе, соответствующий установившемуся току базы, будет небольшим. По окончании импульса ( 7ВХ появляется ток разряда конденсатора С, сокращающий время выключения транзистора. [15]
Страницы: 1 2 3 4