Cтраница 4
Толщина слоя диэлектрика 2 выбирается с учетом необходимой величины волнового сопротивления. При этом обычно используется феррит с прямоугольной кривой намагничивания. Прежде чем произвести оценку времени формирования фронта импульса в такой линии, необходимо более подробно рассмотреть процесс образования ударной волны в более простом случае. [46]
Длительность паузы определяется постоянной времени R С - цепи, величиной действующего в этой цепи напряжения и напряжения отсечки анодного тока лампы. Длительность фронтов импульсов зависит от величин междуэлектродных емкостей лампы, паразитных емкостей схемы, индуктивностей рассеяния сеточной и анодной обмоток трансформатора. Индуктивность рассеяния, напротив, форсирует формирование этих фронтов. Однако формирование фронтов импульсов токов при этом замедляется. При конструировании импульсного трансформатора и схемы следует сводить к минимуму величины пере-числ. [47]
Длительность паузы определяется постоянной времени Л Оцепи, величиной действующего в этой цепи напряжения и напряжения отсечки анодного тока лампы. Длительность фронтов импульсов зависит от величин междуэлектродных емкостей лампы, паразитных емкостей схемы, индуктивностей рассеяния сеточной и анодной обмоток трансформатора. Индуктивность рассеяния, напротив, форсирует формирование этих фронтов. Однако формирование фронтов импульсов токов при этом замедляется. При конструировании импульсного трансформатора и схемы следует сводить к минимуму величины пере-числ. [48]
При формировании пе-редного фронта импульса, как уже указывалось, токи в триоде нарастают от нуля до сотен миллиампер. Поэтому величины гвх гк, сс0 и аа изменяются ъ довольно широких пределах. Таким образом, анализ процесса формирования фронта импульса, строго говоря, представляет собой довольно сложную нелинейную задачу, решение которой связано с рядом математических трудностей и вряд ли может привести к достаточно наглядным результатам. В связи с этим целесообразно попытаться упростить задачу: 1) либо разбив весь процесс формирования фронта на ряд участков, на которых с той или иной степенью приближения параметры гвх, гк, аа можно считать постоянными, и затем решать уже линейные уравнения, сопрягая решения на границах участков, 2) либо, произведя тем или иным путем осреднение параметров гвх, гк, а0 и а решать одну систему линейных уравнений для всего этапа формирования фронта. В первом случае удается получить хорошее согласие результатов расчета и экспериментальной проверки, однако расчет становится весьма громоздким, а результаты его не позволяют сделать общих выводов о влиянии изменений того или иного параметра на характер процесса на этапе в целом при переходе от одного малого участка разбиения к другому. [49]
В практических применениях импульсных трансформаторов сопротивление нагрузки редко бывает линейным, так как нагрузкой обычно является какой-либо генераторный прибор СВЧ, сеточная цепь модуляторной лампы, искровой промежуток, вольт-амперные характеристики которых существенно нелинейны. Нелинейность сопротивления нагрузки влияет на процессы формирования фронта и установления колебаний в генераторном приборе. Происходящее при этом изменение удлинения фронта импульса должно учитываться при проектировании импульсного трансформатора, так как в некоторых случаях оно оказывается значительным. В соответствии с этим представляется важным рассмотрение, процесса формирования фронта импульса во вторичной цепи импульсного трансформатора и при нелинейном сопротивлении нагрузки. [50]
Наличие проводимости р - - переходов при обратных напряжениях на них определяет максимально возможную в данной схеме длительность паузы между импульсами и приводит к появлению существ, зависимости длительности паузы от темп-ры окружающей среды. В типовой схеме с транзистором часть времени формирования вершины импульса протекает в режиме насыщения транзистора. Если при этом длительность импульса сравнима с временем жизни неосновных носителей в базе транзистора, то она будет определяться не только величинами элементов схемы и видом вольтамнерных хар-к транзистора, но будет существенно зависеть от характера протекания процесса рассасывания неосновных носителей в его базе, связанного с временем жизни этих носителей. Диффузионный характер движения носителей заряда от эмиттера к коллектору приводит к дополнительному замедлению процессов формирования фронтов импульсов. [51]
Наличие проводимости р - - переходов при обратных напряжениях на них определяет максимально возможную в данной схеме длительность паузы между импульсами и приводит к появлению существ, зависимости длительности паузы от темп-ры окружающей среды. В типовой схеме с транзистором часть времени формирования вершины импульса протекает в режиме насыщения транзистора. Если при этом длительность импульса сравнима с временем жизни неосновных носителей в базе транзистора, то она будет определяться не только величинами элементов схемы и видом вольтамперных хар-к транзистора, но будет существенно зависеть от характера протекания процесса рассасывания неосновных носителей в его базе, связанного с временем жизни этих носителей. Диффузионный характер движения носителей заряда от эмиттера к коллектору приводит к дополнительному замедлению процессов формирования фронтов импульсов. [52]
Ток в индуктивности намагничивания LM за время формирования фронта импульса не успевает существенно измениться. Условие / 0 можно понимать так, что цепь индуктивности намагничивания LM разомкнута на время формирования фронта импульса. Схема на рис. 2.24 отличается от схемы на рис. 1.22, а, проанализированной в примере 1.5, только обозначением элементов. [53]
Этот блокинг-генератор обычно применяется в заторможенном режиме. Принцип его работы заключается в следующем. При воздействии запускающего импульса лампа отпирается и начинается лавинный процесс. Напряжение на конденсаторе С при этом почти не изменяется, а отрицательное напряжение на катушке индуктивности L из-за увеличения сеточного тока возрастает вместе с напряжением на сеточной обмотке и сетке лампы. Лавинообразный процесс формирования фронта импульса заканчивается в результате перехода лампы в режим насыщения. Напряжение и при этом падает до нуля. [54]
Основным требованием, предъявляемым к импульсному усилителю, является равномерность усиления в широкой полосе частот. Как уже указывалось ( разд. Для передачи без искажений пологой части импульса - его плоской вершины ( крыши) - необходимо, чтобы усилитель пропускал все низкочастотные составляющие сигнала. Все эти искажения являются следствием неравномерного усиления различных спектральных составляющих, образующих импульсный сигнал. Так, искажения фронта на рис. 3.16 объясняются недостаточной амплитудой сигнала на верхних частотах, являющихся основным строительным материалом при формировании фронтов импульса. [55]