Формирование - фронт - импульс
Cтраница 3
При формировании пе-редного фронта импульса, как уже указывалось, токи в триоде нарастают от нуля до сотен миллиампер. Поэтому величины гвх гк, сс0 и аа изменяются ъ довольно широких пределах. Таким образом, анализ процесса формирования фронта импульса, строго говоря, представляет собой довольно сложную нелинейную задачу, решение которой связано с рядом математических трудностей и вряд ли может привести к достаточно наглядным результатам. В связи с этим целесообразно попытаться упростить задачу: 1) либо разбив весь процесс формирования фронта на ряд участков, на которых с той или иной степенью приближения параметры гвх, гк, аа можно считать постоянными, и затем решать уже линейные уравнения, сопрягая решения на границах участков, 2) либо, произведя тем или иным путем осреднение параметров гвх, гк, а0 и а решать одну систему линейных уравнений для всего этапа формирования фронта. В первом случае удается получить хорошее согласие результатов расчета и экспериментальной проверки, однако расчет становится весьма громоздким, а результаты его не позволяют сделать общих выводов о влиянии изменений того или иного параметра на характер процесса на этапе в целом при переходе от одного малого участка разбиения к другому. [31]
Ему соответствует максимальное значение напряжения на сетке t / cmax ( рис. 3.12, г) и минимальное значение напряжения между анодом и катодом. Этим заканчивается формирование фронта импульса. [32]
ДШ смещается в обратном направлении и не влияет на работу транзисторного ключа. Когда в процессе формирования фронта импульса коллекторного тока ( см. рис. 3.29, б) потенциал коллектора снижается и становится меньше потенциала базы, открываются коллекторный переход и ДШ. Поскольку падение напряжения на прямосмещенном ДШ существенно меньше, чем на коллекторном переходе ( см. рис. 3.12), большая часть базового тока будет проходить через открытый ДШ. В открытом состоянии падение напряжения на ДШ составляет 0 3 - 0 4 В. Соответственно будут сведены к минимуму процесс рассасывания избыточного заряда и задержка среза импульса. [33]
Но как только ток коллектора достигает значения / к. На этом и заканчивается формирование фронта импульса. [34]
При быстром увеличении анодного тока лампы также быстро уменьшается напряжение на ее аноде вследствие падения напряжения на первичной обмотке трансформатора LI. Эта стадия работы блокинг-генератора называется стадией формирования фронта импульса. [35]
Ток в индуктивности намагничивания LM за время формирования фронта импульса не успевает существенно измениться. [36]
При формировании среза импульса уменьшение коллекторного тока вызывает появление ЭДС е, еч в обмотках WK и Шб. Их полярность обратна той, которая имела место при формировании фронта импульса. Благодаря действию положительной обратной связи в схеме возникает обратный лавинообразный процесс, во время которого токи коллектора и базы резко уменьшаются и транзистор запирается. [37]
В промежутках между импульсами происходит процесс релаксации - медленный разряд конденсатора С через резистор R до возникновения ( в схеме рис., а) коллекторного тока, поело чего наступает стадии генерации импульса. Развивается лавинообразный процесс, завершающийся насыщением транзистора Т - происходит формирование фронта импульса, после чего наступает стадия формирования его вершины. Конденсатор заряжается постепенно убывающим током базы вплоть до выхода Т из насыщения, что ведет к восстановлению ОС и к формированию среза импульса, завершающемуся отсечкой коллекторного тока Т и возникновением выброса обратной полярности. Вновь наступает стадия релаксации. Для увеличения стабильности в базовую цепь вводят колебат, контур или разомкнутую линию задержки. [38]
 |
Эквивалентная схема импульсного трансформатора для анализа процесса формирования импульса при нагрузке в виде активного сопротивления. [39] |
Такое пренебрежение допустимо вследствие того, что после окончания процесса формирования фронта импульса, напряжение на этих емкостях и ток нагрузки, протекающий через индуктивность, достигают установившихся значений и далее, в течение времени действия импульса, изменяются незначительно, что следует из самих требований, предъявляемых к импульсному трансформатору. Это условие выполняется в том случае, когда нагрузкой является активное сопротивление или триодный генератор высокочастотных колебаний. [40]
Стробирование используется при уплотнении соединительных путей коммутационного устройства, а также при восстановлении формы сильно искаженного импульса. Это преобразование применяется при коммутации дискретных сигналов, а также при формировании немодулированных фронтов импульсов с широтной и фазовой модуляцией. [41]
Условие / О можно понимать так, что цепь индуктивности намагничивания LM разомкнута на время формирования фронта импульса. Схема на рис. 2.24 отличается от схемы на рис. 1.22 а, проанализированной в примере 1.5, только обозначением элементов. [42]
Большинство реостатно-емкостных релаксационных схем, таких как триггер или мультивибратор, по своему построению на плоскостных полупроводниковых триодах внешне ничем не отличается от соответствующих схем на электронных лампах. Однако электрические процессы, протекающие в схемах в том и другом случаях, отличаются друг от друга, особенно во время быстрых изменений токов и напряжений при формировании фронтов импульсов. Связано это со специфическими свойствами полупроводниковых триодов, такими, как инерционность триода и явление насыщения. Связь этих свойств с физическими процессами в триоде подробно рассмотрена в гл. Здесь же мы их рассмотрим с точки зрения влияния на работу схем с реостатно-емкостными связями. [43]
Необходимо отметить, что длительность фронта положительного импульса значительно больше длительности его спада. Это связано не только с разными величинами сопротивления, через которые происходит заряд и разряд конденсаторов, но и разной величиной общей емкости, участвующей в этих процессах. Действительно, при формировании фронта импульса происходит заряд емкости С и выходной емкости Свьп, включающей емкость нагрузки. [44]
 |
Коаксиальная линия с ферритами. [45] |
Страницы: 1 2 3 4