Электронные волны

Cтраница 2

Всякое такое нарушение периодичности рассеивает электронные волны и снижает подвижность электронов и дырок. Однако до тех пор пока число искажений не велико, влияние их на концентрацию свободных зарядов и на электрические свойства полупроводников так же незначительно, как и в случае твердых электролитов. Искажения решетки могут вести к прилипанию электронов, если они создают дискретные квантовые уровни. [16]

Всякое такое нарушение периодичности рассеивает электронные волны и снижает подвижность электронов и дырок. Однако до тех пор, пока число искажений невелико, влияние их на концентрацию свободных зарядов и на электрические свойства полупроводников так же незначительно, как в случае твердых электролитов. Наличие искажений в решетке может, однако, привести к закреплению на них электронов, если эти искажения таковы, что создаются дискретные квантовые уровни. [17]

На рис. 20 схематически изображены соответствующие электронные волны. Если после обхода по кругу голова волны не совпадает с ее хвостом ( рис. 20, а), то горбы и впадины волны накладываются друг на друга, взаимно ослабляются и волна сама себя гасит. Для этого необходимо, чтобы на окружности укладывалось целое число длин электронных волн. [18]

Современная экспериментальная техника позволяет напрямую увидеть электронные волны. [19]

Принципиальная оптическая схема электроно-графа. [20]

Если объект состоит из множества беспорядочно ориентированных кристаллов, электронные волны, претерпевшие дифракцию на одинаковых кристаллических плоскостях, образуют конус пучка электронов, пересекающих экран ( или фотопластинку) по кольцу, радиус которого г. Отсюда по (IV.3) вычисляют межплоскостное расстояние. [21]

Поучительным примером здесь может служить попытка Шредингера истолковать свои электронные волны как рассеянное облако электричества, пожертвовав при этом понятием частицы. Вскоре пришлось от этого отказаться, так как электроны, оказывается, можно считать. Ясно, что корпускулярная природа электрона не есть результат соглашения. [22]

Это чрезвычайно малое значение напряжения объясняет, почему нельзя генерировать электронные волны с длиной, сравнимой с длинами волн видимого света. [23]

Сущность этих методов заключается в том, что рентгеновские лучи и электронные волны, проходя через вещество, претерпевают диффракцию и дают интерференционную картину, по которой можно судить о расположении атомов в веществе. [24]

Рассеяние электронной волны кристаллической решеткой металла. [25]

Реальные металлы сопротивляются перемещению электронов из-за дефектов кристаллического строения и примесей, рассеивающих электронные волны. Рассеяние электронных волн наблюдается в том случае, если размеры центров рассеяния превосходят длину электронных волн. Вероятность возникновения флуктуации плотности в этом случае у металлов велика, поскольку полностью устранить тепловые колебания атомов нельзя; поэтому при беспорядочном направлении колебаний части атомов среди большого их числа всегда найдутся такие, которые в данный, момент движутся навстречу друг другу. [26]

Температурная зависимость удельной электропроводности полупроводника. / - собственная проводимость. 2 - примесная проводимость.| Теоретические кривые температурного хода проводимости. [27]

Во-вторых, при более высоких температурах преимущественно наблюдается тепловой механизм рассеяния, когда электронные волны рассеиваются о колебания решетки. Для атомных решеток подвижность меняется пропорционально Т - / г. Опыт не всегда подтверждает эту закономерность и наблюдается более сильная зависимость подвижности от температуры. [28]

Перекрывание АО, ведущее к связыванию. [29]

Причина этого состоит в том, что орбитали - это волновые функции, т.е. электронные волны, которые, как и всякие другие волны, могут интерферировать. При интерференции электронов орбиталей 1 А и lsB, каждая из которых в межъядерной области имеет положительную амплитуду, общая амплитуда увеличивается. Таким образом, в области перекрывания происходит как бы накапливание электронной плотности. [30]

Страницы: 1 2 3 4