Электронные волны

Cтраница 4

Таким образом, условие Бора ( 2 1) означает, что ка длине орбиты укладывается целое число длин волн и происходит инте ферейционное усиление электронной волны. Между боровскими орбитами электронные волны гасятся интерференцией. [46]

Тепловое движение нарушает правильность решетки, вызывая то сближения, то расхождения ионов и, следовательно, флуктуации электрического поля, охватывающие несколько атомных расстояний. На этих флуктуациях электронные волны рассеиваются, что соответствует изменению количества движения и энергии электронов, рассматриваемых как дискретные частицы. [47]

Тепловое движение нарушает правильность решетки, вызывая то сближения, то расхождения ионов, и, следовательно, флуктуации электрического поля, охватывающие несколько атомных расстояний. На этих флуктуациях электронные волны рассеиваются, что соответствует изменению количества движения, а иногда и энергии электронов, рассматриваемых как дискретные частицы. [48]

Электрону, как частице массой те, обладающей скоростью v, должен соответствовать в каждой точке траектории конкретный импульс pe mfv. Во то же время электронные волны характеризуются, естественно, длиной волны Я, следовательно, положение электрона на протяжении этой длины волны неопределенно. [49]

Можно представить атом растворенного вещества как потенциальную яму с избытком положительного заряда ehZ, причем потенциал уменьшается с расстоянием быстрее, чем 1 / г ( фиг. Тогда можно считать, что падающие электронные волны рассеиваются этой потенциальной ямой. При рассмотрении явлений рассеяния полезно перейти к сферическим вблнам. [50]

Можно представить атом растворенного вещества как потенциальную яму с избытком положительного заряда MZ, причем потенциал уменьшается с расстоянием быстрее, чем 1 / г ( фиг. Тогда можно считать, что падающие электронные волны рассеиваются этой потенциальной ямой. При рассмотрении явлений рассеяния полезно перейти к сферическим волнам. [51]

Рассеяние электронных волн имеет в полупроводниках такое же происхождение, как и в металлах. Но в то время как в металлах электронные волны, имеющие длину порядка междуатомных расстояний, рассеиваются на основных атомных колебаниях, в 20 раз более длинные электронные волны в полупроводниках рассеиваются преимущественно на более медленных колебаниях кристаллической решетки, которых значительно меньше. [52]

Эквивалентная схема, иллюстрирующая образование шумовой составляющей анодного тока лампы, при включении в ее сеточную цепь эквивалентного генератора шу - ма. [53]

Шум токораспределения возникает в многоэлектродных, лампах и обусловлен флюктуациями распределения тока между электродами. Шум токораспределения свойствен и ЭВП, где используются электронные волны, например ЛБВ. На очень высоких частотах ( свыше 30 МГц) флюктуации числа электронов, проходящих сквозь сетку, имеющую пониженный относительно катода потенциал, вызывают индуктированные шумовые токи, уровень которых растет с частотой. Из-за электронной проводимости лампы такой шум попадает в ее входную цепь. [54]

Классическая теория не объясняет большой величины длины свободного пробега электронов в металлических кристаллах и не отвечает на вопрос: почему электроны проводимости ведут себя подобно газу невзаимодействующих частиц. Поскольку ионы расположены в правильной периодической решетке, то электронные волны, как и во всякой периодической структуре, распространяются свободно. Второй важный момент, а именно то, что электроны проводимости лишь редко испытывают рассеяние на других электронах ( свободных), обусловлен действием принципа Паули. [55]

Страницы: 1 2 3 4