Cтраница 1
Фосфид галлия - оранжево-желтые или зеленовато-желтые крис таллы. Устойчив по отношению к воздуху и воде, плохо растворяется в концентрированных и разбавленных серной и соляной кислотах, но легко растворяется при нагревании в азотной кислоте. [1]
Фосфид галлия, имеющий большую ширину запрещенной зоны ( 2 25 эВ), широко применяют в серийном производстве светодио-дов. [2]
Фосфид галлия - материал с широкой запрещенной зоной ( 2 3 эВ), используемый в практике для изготовления свето диодов с красным или зеленым свечением в зависимости от вводимых в него примесей. [3]
Фосфид галлия является веществом, сочетающим интересные полупроводниковые и люминесцентные свойства. [4]
Фосфид галлия при 1000 С реагирует с парами иода с образованием летучего моноиодида галлия и паров фосфора, а при 750 - 800 С преимущественно протекает обратная реакция. Транспортируя смесь Gal и Р4 в более холодную часть ампулы ( диффузия, конвекция) и создавая оптимальное пересыщение, получают кристаллы фосфида галлия. [5]
Фосфид галлия - оранжево-желтые или зеленовато-желтые кристаллы. Устойчив по отношению к воздуху и воде, плохо растворяется в концентрированных и разбавленных серной и соляной кислотах, но легко растворяется при нагревании в азотной кислоте. [6]
Фосфид галлия - материал с широкой запрещенной зоной ( 2 3 эВ), используемый в практике для изготовления светс-диодов с красным или зеленым свечением в зависимости от вводимых в него примесей. [7]
Фосфид галлия выпускается по техническим условиям ( ЕТО. ТУ 48 - 4 - 301 - 74) в виде слитков диаметром от 15 до 45 мм с интерпалом г, В качестве легирующего элемента могут использоваться теллур, сера. На кристаллах фосфида галлия не должно быть трещин и раковин величиной 1 5 мм. [8]
Фосфид галлия выпускается по техническим условиям ( ЕТО. ТУ 48 - 4 - 301 - 74) в виде слитков диаметром от 15 до 45 мм с интерпалом г, В качестве легирующего элемента могут использоваться теллур, сера. На кристаллах фосфида галлия не должно быть трещин н раковин величиной 1 5 мм. [9]
Мелкокристаллический фосфид галлия может быть превращен в поликристаллический и даже в монокристаллический слиток методом движущегося растворителя. В нижнюю часть трубки помещают монокристаллическую затравку, поверх нее - слой галлия, остальную часть трубки заполняют исходным материалом. Расплавленный галлий, нагреваемый высокочастотным индуктором, перемещают с малой скоростью в направлении питающего материала. [10]
Анализ фосфида галлия проводят без предварительного увлажнения пробы, улавливают H2S полярографическим фоном и определяют, как указано в методике определения серы в галлии и других продуктах. [11]
Кристаллы фосфида галлия обладают дырочной проводимостью, легирование серой переводит их в n - тип. Оптическая ширина запрещенной - зоны, найденная по основному краю полосы поглощения, 2 25 эв и с ростом температуры падает со скоростью 5 0 - Ю 4 - Та. Из-за большой ширины запрещенной зоны в GaP собственная проводимость не обнаруживается даже при 1000 К. [12]
Монокристаллы фосфида галлия обнаруживают электролюминесценцию: при пропускании тока испускается оранжевый свет. Интенсивность света экспоненциально возрастает с напряжением. Установлено, что электролюминесценция является результатом рекомбинации пары электрон - дырка на центрах, находящихся вблизи потолка валентной зоны. Если фосфид галлия легировать цинком, свечение имеет темно-красный цвет. [13]
Кристаллы фосфида галлия применяют в качестве электрооптических модуляторов. Наличие поперечного электрооптического эффекта позволяет увеличивать длину прохождения модулированного излучения без повышения приложенного напряжения. При использовании тонких кристаллов необходимы относительно небольшие напряжения, чтобы обеспечить требуемое сильное электрическое поле. Фосфид галлия не является ферроэлектриком и поэтому не нуждается в строгом контроле температуры. К тому же он обладает высокой механической прочностью и стоек против воздействия атмосферных условий и температуры. И, наконец, он прозрачен для большей части видимого спектра, благодаря чему область его применения шире, чем у GaAs, который успешно используется для электрооптической модуляции инфракрасного излучения. [14]
Полученный сплавлением фосфид галлия обычно имеет дырочную проводимость, добавлением серы можно получить электронную проводимость. [15]