Фосфид - галлий - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Опыт - это замечательная штука, которая позволяет нам узнавать ошибку, когда мы опять совершили ее. Законы Мерфи (еще...)

Фосфид - галлий

Cтраница 2


Следовательно, чистый фосфид галлия относится к непрямозонным полупроводникам.  [16]

Переходы из фосфида галлия и карбида кремния излучают видимый свет в диапазоне от голубого до красного цвета.  [17]

С использованием фосфида галлия созданы светодиоды красного цвета, имеющие высокую яркость, большой КПД и сравнительно малый рабочий ток. На основе таких СИД разработаны и широко применяются различные полупроводниковые индикаторы. В [87] описан компактный матричный индикатор с высокой линейной плотностью элементов, составляющей 2 5 СИД на миллиметр. Этот индикатор имеет размеры 3 2x38 4 мм и содержит 8x96 светоизлучающих диодов, сгруппированных в 12 модулей.  [18]

На основе фосфида галлия был сконструирован миниатюрный ( цилиндр из пластмассы длиной 1 и диаметром 0 75 мм) полупроводниковый источник красного света. При включении тока он загорается за время менее 10 - 8 сек. Такая его скоросветность может найти использование в различных быстродействующих установках.  [19]

На основе фосфида галлия был сконструирован миниатюрный ( цилиндр из пластмассы длиной 1 и диаметром 0 75 мм) полупроводниковый источник красного света. При включении тока он загорается за время менее 10-в сек. Такая его ско-росветность может найти использование в различных быстродействующих установках.  [20]

21 Вольтамперные характеристики диффузионных электролюминесцентных р-п переходов в кристаллах карбида кремния разных политипов. [21]

Интенсивность излучения диодов фосфида галлия в широких пределах пропорциональна величине пропускаемого тока.  [22]

Точечные диоды из фосфида галлия выпрямляют при 800 С, а сплавные вентили из фосфида галлия имеют коэффициент выпрямления, равный 10 при 500 С, и обратное пробивное напряжение более 100 в. Эти значения ограничены качеством исходных материалов.  [23]

24 Схема аппаратуры для жидкофазной эпитаксии. [24]

В случае выращивания фосфида галлия в качестве растворителя используют галлий с добавками цинка для получения р-слоя и теллур - для получения n - слоя. Процесс ведут в токе водорода.  [25]

26 Схема аппаратуры для жидкофазной эпитаксии. [26]

Эффективность светодиодов из фосфида галлия, легированного цинком и кислородом, была повышена при наращивании двух слоев последовательно на одной подложке: сначала кристаллизовали слой re - типа, а затем слой р-типа, легированный цинком и кислородом из расплава галлия с добавками цинка и окиси галлия. Подобную технологию используют и для других материалов.  [27]

28 Процесс кристаллизации соединения AHI BV из расплава не-стехиометрического состава перемещением лодочки вдоль неподвижного температурного градиента.| Процесс кристаллизации соединения Аш BV из расплава несте-хиометрического состава изменением положения температурного градиента при неподвижной лодочке. [28]

Наиболее чистые монокристаллы фосфида галлия получают бестигельной зонной плавкой. При скорости перемещения расплавленной зоны 1 - 2 см / ч и при равновесном давлении фосфора в ампуле получаются совершенно прозрачные слитки фосфида галлия. GaP, полученный методом плавающей зоны, содержит значительно меньше примесей и особенно углерода.  [29]

Оранжевые прозрачные кристаллы фосфида галлия плотностью 4 10 г / см3 имеют период идентичности 5 45 А.  [30]



Страницы:      1    2    3    4