Cтраница 3
Лучшим растворителем для фосфида галлия является соляная кислота с добавками окислителей. На воздухе GaP вполне устойчив. При нагревании заметное окисление фосфида галлия начинается в области 700 С. В вакууме начинает диссоциировать при 1000 С. [31]
Как и для фосфида галлия, многочисленные непрямые методы получения фосфида индия приводят к мелкодисперсному конечному продукту. [32]
При небольшом добавлении фосфида галлия ширина запрещенной зоны сильно возрастает. Такой характер изменения АЕ объясняется различием в структуре энергетических зон фосфида и арсенида галлия. Предполагают, что твердые растворы GaAs - j - GaP должны иметь некоторые технологические преимущества по сравнению - с Ge - - Si при изготовлении приборов с изменяющейся шириной запрещенной зоны. [33]
В последних двух случаях фосфид галлия получается в виде порошка желтого цвета, в первом случае в виде небольших кристаллов. [34]
Яркость излучения светодиодов из фосфида галлия несколько убывает с течением времени, однако срок их службы оценивается несколькими тысячами часов. [35]
Яркость излучения светодиодов из фосфида галлия несколько убывает с течением времени, однако срок службы их оценивается десятками тысяч часов. [36]
Представляет интерес ионное легирование фосфида галлия азотом ( N или N), применяемое для смещения полосы излучения этого материала в зеленую область. [37]
Точечно-контактные диоды на основе фосфида галлия выпрямляют токи до 0 5 А при температурах до 800 С. Омическим контактом для таких диодов служит сплав галлия с индием. В качестве выпрямляющего контакта используется вольфрамовая игла. Напряжение перегиба прямой ветви вольтамперной характеристики составляет 1 2 В. Отформованные диоды имеют прямые точки до 0 5 А при напряжении порядка 5 В. Обратные токи составляют не более 3 10 - 8 А при напряжениях 5 - 10 В. [38]
Точечно-контактные транзисторы на основе фосфида галлия обладают высоким сопротивлением базы и имеют коэффициент усиления по току в схеме с общей базой, близкий к единице. [39]
Поверхностно-барьерные диоды на основе фосфида галлия могут быть изготовлены посредством напыления тонкого слоя золота или алюминия на кристалл р-типа. Вольтамперная характеристика таких диодов имеет нечетко выраженную область пробоя при обратном напряжении порядка 14 В. [40]
Элементы, изготовленные из фосфида галлия ( Д 2 25 эв), практически не меняют свою электропроводность в широком диапазоне температур. [41]
Хорошим растворителем при синтезе фосфида галлия может служить висмут. [42]
Исследованы свойства монокристаллических слоев фосфида галлия, легированных азотом. [43]
Хорошим растворителем при синтезе фосфида галлия может служить висмут. [44]
В процессе зонной плавки фосфида галлия по длине рабочей ампулы поддерживаются три различных температурных зоны. Высокотемпературная зона, где происходит образование расплава фосфида галлия, создается за счет высокочастотного индукционного нагрева графитовой лодочки. [45]