Cтраница 2
В сплавных германиевых фотодиодах толщина базы составляет 20 - 30 мкм и тд я 50 не. [16]
Спектральная характеристика германиевых фотодиодов имеет максимум при К 1 5 мкм, а кремниевых фотодиодов - соответственно при К 0 9 мкм. [17]
Максимум чувствительности германиевых фотодиодов смещен в инфракрасную часть спектра. [18]
Интегральная чувствительность германиевых фотодиодов высокая и достигает 30 000 мка / лм. [19]
Основным недостатком германиевых фотодиодов и фототранзисторов является зависимость их параметров от температуры. [20]
![]() |
Схема плоскостного германиевого фотодиода. [21] |
Другой тип германиевых фотодиодов показан на рис. 26.21. Он состоит, как и обычный полупроводниковый диод, из полупроводников ( например, того же германия) двух типов проводимости. Образующийся на границе р-л-переход при подаче положительного потенциала со стороны германия я-типа препятствует свободному прохождению тока. При освещении узкой области р - n - перехода в германии / г-типа образуются пары и дырки диффундируют через р - n - переход, вызывая возрастание тока. [22]
![]() |
Температурные характеристики сернистокад-миевого фотосопротивления при различных освещенно-стях.| Температурные характеристики германиевого фотодиода. [23] |
Наименьшей инерционностью обладают германиевые фотодиоды, граничная частота которых составляет около 100 кгц. Переходные процессы протекают быстро, так как время, в течение которого носители зарядов диффундируют через тонкий запирающий слой, очень невелико. [24]
![]() |
Световые характеристики фотодиодов.| Частотные характеристики фотодиодов. [25] |
У некоторых образцов германиевых фотодиодов интегральная чувствительность достигает 30 мА / лм. [26]
![]() |
Световые ха - Так как ток, текущий через нагрузку, дс. [27] |
У некоторых образцов германиевых фотодиодов интегральная чувствительность достигает 30 мА / лм. Чувствительность фотодиода различна для разных длин волн спектра светового излучения. Зависимость чувствительности фотодиода от длины волны спектра называется спектральной характеристикой. Чувствительность фотодиода в основном зависит от полупроводникового материала. [28]
![]() |
Схема фотоэлектрического измерителя со сферой Ульбрехта.| Схемы фотоэлектрических измерителей мощности газовых ОКГ. [29] |
В измерителе с германиевым фотодиодом ( рис. 7, б) излучение / через ослабляющие 2 и интерференционный 3 фильтры фокусируется линзой на фотодиод, в цепь которого включен микроампер-метр. Фотодиод работает в вентильном режиме. [30]