Германиевый фотодиод

Cтраница 4

Поэтому использование в вентильном режиме кремниевых, а также германиевых фотодиодов при низких рабочих температурах [4] представляется весьма перспективным. [46]

Рассмотрены некоторые способы уменьшения влияния темнового тока на работу германиевых фотодиодов в схеме формирования опорного сигнала для оптико-электронных систем и дана методика оценки эффективности этих способов. [47]

Поэтому использование в вентильном режиме кремниевых, а также германиевых фотодиодов при низких рабочих температурах [4] представляется весьма перспективным. [48]

С целью стабилизации их характеристик при больших колебаниях окружающей температуры германиевые фотодиоды необходимо термостатировать. [49]

Разброс по величине дифференциального сопротивления гд также весьма велик: упоминавшиеся германиевые фотодиоды имели значения гд в пределах от 2 38 мом до оо, а кремниевые - от 28 до 140 мом. [50]

Пример температурной характеристики фотодиода. [51]

На рис. 7 - 4 приведена температурная характеристика одного из германиевых фотодиодов, рассчитанная по формуле ( 1 - 1), и нанесены точки той же характеристики, найденные экспериментально. Совпадение результатов эксперимента с расчетными данными оказывалось впол не удовлетворительным. [52]

Нагрузочная характеристика п - р-фото-элемента в вентильном режиме р / ( У.. [53]

Экспериментальные результаты, приводимые ниже, получены главным образом на германиевых фотодиодах. Такие фотодиоды серийно изготовляются промышленностью. [54]

Вольтамперные характеристики германиевого фотодиода.| Зависимость чувствительности фотодиода от положения светового пятна относительно плоскости перехода. [55]

В качестве примера на рис. XII.7 - XII.9 приведены основные характеристики германиевого фотодиода с переходом, полученным выращиванием. [56]

А - коэффициент, имеющий значение от 1 до 4 ( для германиевых фотодиодов он равен. [57]

Спектральные характеристики приемников. [58]

На рис. 3.25 приведены частотные характеристики охлаждаемого и неохлаждаемого сернисто-свинцового фотосопротивления, германиевого фотодиода и фотоэлектронного умножителя, а также расчетная характеристика сурьмянисто-индиевого приемника. Как видно из графиков, частота модуляции потока при использовании охлаждаемого сернисто-свинцового фотосопротивления не должна превышать нескольких сотен герц, а неохлаждаемого 1000 гц. [59]

Выходное сопротивление фотодиода в вентильном режиме при отсутствии засветки равно RQ и для германиевых фотодиодов при комнатной температуре составляет единицы, а для кремниевых - сотни ком. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5