Германиевый фотодиод

Cтраница 3

Воспроизведение П - об-разного импульса света. [31]

Действительно, например, германиевые фотодиоды превосходят фотоэлементы по чувствительности в несколько сотен раз ( причем чувствительность простирается на более широкую область спектра), требуют меньших источников питания ( в вентильном режиме источник питания вообще отсутствует) и отличаются малыми габаритами. С разработкой малоинерционных фотодиодов ликвидировано и отставание фотодиодов от фотоэлементов по инерционности. [32]

Основным элементом фотодатчика является германиевый фотодиод ФД-1 со встроенной линзой. [33]

Коэффициент В температурной характеристики германиевых фотодиодов, как уже указывалось, имеет величину порядка 6 000 К. Разброс то этому пара-тока от температуры. [34]

Цифры, характеризующие описанный здесь образец германиевого фотодиода, и формы вольт-амперной характеристики показывают, что можно ожидать успешного применения германиевых фотодиодов в установках для воспроизведения звука. [35]

Работа посвящена вопросу термостабилязации рабочего режима германиевого фотодиода, включенного на вход полупроводникового усилителя. В статье рассматриваются две схемы включения. [36]

Спектральные характеристики германиевых фототранзисторов подобны спектральным характеристикам германиевых фотодиодов. [37]

Солнечная батарея из кремниевых элементов.| Германиевый точечный фотодиод. [38]

На рис. JJ - 9g дан разрез германиевого фотодиода. [39]

Другой путь, пригодный, например, для германиевых фотодиодов, заключается в снижении температуры. [40]

При этом световой выход, измеренный с помощью германиевого фотодиода, достигал значений порядка 10 - 5 фотон / электрон. Данное значение несколько меньше светового выхода лучших диффузионных диодов, изготовленных из a - SiC, и сравнимо с квантовым выходом вплавных диодов на базеа - SiC. Однако усовершенствование технологии изготовления р - n - перехода и улучшение структуры исходных кристаллов позволяет надеяться на повышение и этого важного параметра рекомбинационного излучения. [41]

При этом световой выход, измеренный с помощью германиевого фотодиода, достигал значений порядка 0 - 5 фотон / электрон. Данное значение несколько меньше светового выхода лучших диффузионных диодов, изготовленных из a - SiC, и сравнимо с квантовым выходом вплавных диодов на базе a - SiC. Однако усовершенствование технологии изготовления р - n - перехода и улучшение структуры исходных кристаллов позволяет надеяться на повышение и этого важного параметра рекомбинационного излучения. [42]

Теоретические кривые релаксации вентильной фото - ЭДС при различных уровнях освещения. [43]

На рис. 220 представлены осциллограммы, полученные на германиевом фотодиоде при его освещении прямоугольными световыми импульсами. [44]

Световой поток, промодулированный по яркости, падает на германиевый фотодиод ФД-2. Фотодиод включен в цепь базы транзистора 7, что позволяет расположить рабочую точку на самом крутом участке характеристики фотодиода, так как наибольший прирост фототока наблюдается при изменении приложенного напряжения от 0 до 1 5 в. Увеличение яркости светового потока приводит к уменьшению сопротивления фотодиода - что в свою очередь вызывает увеличение приложенного к фотодиоду напряжения. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5