Проекционная фотолитография
Cтраница 2
Возможны три способа проведения проекционной фотолитографии по первому варианту. [16]
Несмотря на появившиеся в последнее время установки проекционной фотолитографии, одно из важных мест в технологии производства фотошаблонов занимает тиражирование. Для обеспечения производства новыми фотошаблонами копии с эталонных фотошаблонов изготавливают обычно контактным методом. [17]
 |
Совмещение фотошаблона с рисунком пластины ( размеры в микрометрах. [18] |
Снижение этих недостатков специалисты видят в переходе на методы проекционной фотолитографии, электронной литографии н др. Эти методы находятся в стадии внедрения в технологию изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов. [19]
В композиции, чувствительные к излучению с длинами волн до 600 нм, рекомендуется [ яп. Такие фоторезисты можно использовать в проекционной фотолитографии. [20]
В процессе использования фотошаблоны подвергаются механическому износу. Хотя за последнее время появилась установка проекционной фотолитографии, все же основная часть изготовленных фотошаблонов используется в контактной фотолитографии. В то же время даже случайное повреждение одного шаблона требует повторения всего сложного и дорогого цикла изготовления нового комплекта фотошаблонов. Поэтому целесообразно изготавливать копии эталонных фотошаблонов, которые и являются рабочими фотошаблонами. [21]
В этом случае очень жесткие требования предъявляются к объективу проектора, который должен обеспечивать высокое разрешение на всем рабочем поле подложки. Трудности создания таких объективов и препятствуют широкому внедрению метода проекционной фотолитографии в промышленность. В настоящее время наилучшее разрешение ( 0 4 мкм) может быть получено только на площади не более 2x2 мм. При проецировании изображения фотошаблона на поле пластины диаметром 75 мм лучшие образцы зарубежных и отечественных объективов обеспечивают разрешение - 2 мкм. [22]
В настоящее время предлагаются композиции, в которых в качестве сшивающих агентов используются аналогичные соединения, содержащие вместо азидобензилиденовых фрагментов азидоцинна-малиденовые группировки. Бисазиды с развитой цепью сопряжения ( 15, 16) рекомендуются для использования в проекционной фотолитографии. [23]
В книге освещены основные проблемы современной фотолитографии и оценены перспективы ее развития. Рассмотрены свойства фоторезистов, процессы образования фоторезистивных покрытий, способы получения фотошаблонов, процессы воспроизведения изображений элементов микросхем на фоторезисте и на подложке, контактная и проекционная фотолитография, применение голографических методов в фотолитографии, электронолитография. Рассмотрено применение фотолитографии при изготовлении интегральных микросхем по тонкопленочной технологии. [24]
Азидсодержащие светочувствительные составы создаются на основе ароматических или гетероароматических азидов, полимеров или олигомеров и растворителей различной полярности. Среди структур арилазидов, применяемых в фотолитографической практике, можно выделить соединения, поглощающие в области 250 - 300 нм и используемые в фоторезистах коротковолнового УФ-света; соединения с развитой системой сопряжения, чаще других бис ( азидобензилиденовые) производные кетонов, поглощающие в области максимальной эмиссии ртутных ламп среднего и высокого давления 310 - 440 нм; диазиды, включающие систему конденсированных ядер с поглощением до 600 нм, пригодные для проекционной фотолитографии. Введением сульфо -, гидрокси - или карбоксильных групп в ароматические ядра светочувствительным азидам придается водорастворимость. [25]
Азидсодержащие светочувствительные составы создаются на основе ароматических или гетероароматических азидов, полимеров или олигомеров и растворителей различной полярности. Среди структур арилазидов, применяемых в фотолитографической практике, можно выделить соединения, поглощающие в области 250 - 300 нм и используемые в фоторезистах коротковолнового УФ-света; соединения с развитой системой сопряжения, чаще других бис ( азидобензилиденовые) производные кетонов, поглощающие в области максимальной эмиссии ртутных ламп среднего и высокого давления 310 - 440 нм; диа зиды, включающие систему конденсированных ядер с поглощением до 600 нм, пригодные для проекционной фотолитографии. Введением сульфо -, гидрокси - или карбоксильных групп в ароматические ядра светочувствительным азидам придается водорастворимость. [26]
Проекционная фотолитография является одним из наиболее перспективных методов. Преимущества его заключаются прежде всего в отсутствии механического контакта фотошаблона со слоем фоторезиста на подложке: повреждения фотошаблона не происходит, и срок его службы значительно увеличивается. Проекционную фотолитографию осуществляют одновременной передачей всех элементов изображения фотошаблона на фоторезист ( рис. 3.13), поэлементным ( шаговым) переносом изображения; вычерчиванием изображения на слое фоторезиста сфокусированным лучом УФ-света. [27]
За последние годы техника создания проекционных оптических устройств ( объективов и осветителей с использованием волоконной оптики) значительно продвинулась вперед. Разрешающая способность объективов доведена до 2000 лин / мм. Кроме того, успешно разрабатывается процесс проекционной фотолитографии на пленках фоторезиста, имеющих разрешающую способность на молекулярном уровне при очень высоком коэффициенте контрастности. [28]
Повышение разрешающей способности оптической фотолитографии с одновременным увеличением диаметра рабочего поля является одной из важнейших задач современной технологии. В оптическом диапазоне длин волн даже при использовании самых совершенных безаберрационных объективов разрешение метода не лучше 0 50 мкм, что во многих случаях уже не удовлетворяет требованиям технологов при производстве БИС. Методы формирования изображения в различных регистрирующих материалах развиваются главным образом в трех направлениях: проекционная фотолитография, рентгенолитография, электронолитография. [29]
Отсюда ясно, что для повышения степени интеграции ИС надо снижать плотность дефектов на пластине. Это достигается совершенствованием каждого из этапов производства ИС. Необходимо стремиться к тому, чтобы кристаллическая структура эпитаксиальных пленок кремния была близкой к идеальной, улучшать технологию изготовления фотошаблонов, обеспечивать чистоту технологической среды ( чистые комнаты, специальные скафандры, содержащие не более 3 - 5 пылинок в литре воздуха), улучшать процессы химической обработки пластин и пр. Одна из важных мер такого рода - применение проекционной фотолитографии: изображение фотошаблона с помощью оптической системы проецируется на слой фоторезиста, нанесенный на пластину. Этим исключается постепенное стирание фотошаблона кремниевой пластиной и возникновение на нем новых дефектов. [30]
Страницы: 1 2 3