Фотонапряжение

Cтраница 1

Фотонапряжение возникает также у коронена, покрытого тонкой пленкой о-хлоранила, при этом коронен имеет положительный заряд. [1]

Фотонапряжение, созданное умножителем 8, после усиления катодным повторителем 9 поступает на вход вертикального отклонения 22 осциллоскопа 20, в котором применена электронно-лучевая трубка с длительным послесвечением. В результате на экране осциллоскопа виден весь развертываемый участок спектра. [2]

Аномальные фотонапряжения, возникающие в активированных кристаллах при освещении, достигают 10s В / см, поэтому константа взаимодействия у 2тгДи / / Х при толщине кристалла / 0 5 см может превысить Ютг. Столь сильная фазовая модуляция всегда сопровождается нежелательными конкурентными нелинейными эффектами - оптическими повреждениями ( optical damage) вследствие формирования крупномасштабного поля пространственного заряда, а также светоиндуцирован-ным рассеянием. [3]

Фотонапряжение V генерируется в прямом направлении и достигает максимума Vm при отключенной нагрузке. [4]

Поверхностные фотонапряжения, которые напоминают контактные фотонапряжения ( раздел IV6), подробно рассматривались в случае неорганических веществ ( Джонсон [56]), а органические вещества не изучались. Разработанные методы позволяют измерять малые времена жизни носителей зарядов. Поверхностные фотонапряжения создаются в поверхностной пространственно-заряженной области и обнаруживаются с помощью небольших электродов, присоединенных к поверхности образца по емкостной схеме. [5]

РЫБКИН [127] указывает, что при измерении фотонапряжений вследствие влияния диффузии электронов в металлические электроды лучше-использовать метод конденсатора, в котором такие эффекты исключаются. [7]

На рис. 9.9, б представлено распределение фотонапряжения, снимаемого с 2 - х противоположных контактов двухкоординатного фотоэлемента на 1 / 4 части его поверхности. Область линейности вблизи середины фотоэлемента ограничена расстоянием порядка 2 мм. Крутизну характеристики перемещения можно значительно увеличить, уменьшая линейные размеры фотоэлемента ( например, в конструкциях с рассеченным каналом) или увеличивая ширину световой полосы. [8]

Рост напряжения U3 приводит к увеличению амплитуды фотонапряжения на НЧ участке. [9]

Схема полупроводникового. [10]

Полупроводниковые пленки с таким по сути аномально большим фотонапряжением особенно перспективны в так называемой оптронной технике, достоинства которой - малая чувствительность к электрическим помехам. Оптронные системы могут работать при очень слабых сигналах, что важно в сверхдальней космической связи и миниатюрных кибернетических машинах. [11]

Недостатком данного метода является его большая чувствительность даже к небольшим фотонапряжениям, обусловленным явлением неоднородности, контактами и др., поэтому измерение на достаточно низкоомном материале здесь сопряжено с большими трудностями. [12]

В некоторых полупроводниках, изготовленных в виде тонких слоев, а также в монокристаллах наблюдается эффект аномально высокого фотонапряжения. Фото-ЭДС во много раз может превышать ширину запрещенной зоны полупроводника. Афн-эффект зарегистрирован в пленках PbS, CdSe, Si, Ge, GaAs, в монокристаллах ZnS и других материалах. Омическое сопротивление афн-пленок очень высоко ( 10 Ом-см), поэтому они эффективны при коммутации с диэлектрической нагрузкой. Фото-ЭДС возрастает с уменьшением температуры. Спектральная чувствительность простирается в область энергий, меньших, чем ширина запрещенной зоны аналогичного монокристаллического полупроводника. [13]

Хотя нет никаких сомнений в том, что некоторые органические вещества имеют достаточную ширину запрещенных зон для получения высоких фотонапряжений, статей по этому вопросу опубликовано сравнительно мало. [14]

Для получения максимального значения продольной фбточувствительности необходимо полное разделение фотогенерированных электронно-дырочных пар и высокое сопротивление той части перехода, с которой снимается продольное фотонапряжение. Этим требованиям в значительной мере удовлетворяют коо. [15]

Страницы: 1 2 3