Фотонапряжение
Cтраница 2
Если во внешней цепи освещаемого р-п перехода ( фотодиода) включить сопротивление конечной величины, то фототек во внешней цепи будет меньше тока короткого замыкания, соответственно уменьшится и фотонапряжение на р-п переходе. [16]
Если во внешней цепи освещаемого р - n - перехода ( фотодиода) включить сопротивление конечной величины, то фототок во внешней цепи будет меньше тока короткого замыкания, соответственно уменьшится и фотонапряжение на р - n - переходе. [17]
Суть эффекта можно пояснить на примере, когда при возбуждении электрона вероятность его движения в ту или иную сторону ( направление импульса) оказывается анизотропной и возникает некоторое преимущественное движение электронов, приводящее к тому, что в разомкнутом образце появляется результирующее фотонапряжение. Для возникновения фотовольтаического эффекта необходимо, чтобы сам фотоактивный центр не был пространственно симметричным, например обладал диполь-ным моментом, и чтобы такие центры имели преимущественную ориентацию в кристалле, благодаря которой не происходит полного усреднения в направлении движения фотовозбужденных электронов. [18]
В принципе эффект Дембера можно наблюдать, если электрический контакт сделан в виде емкостной связи и падающее излучение модулируется высокой частотой Однако наличие поверхностных состояний повышает поверхностный барьер даже в отсутствие металлического контакта, а излучение изменяет заселенность этих состояний, в результате чего возникает фотонапряжение, которое также трудно отделить от э д с Дембера. Этот метод переменного тока использовался Эспозито, Ло-ферским и Фликером [228] для наблюдения эффекта Буймистро-ва [103], сходного с эффектом Дембера и заключающегося в увеличении фотонапряжения в полупроводнике при наличии градиента времени жизни неосновных носителей. В этом случае градиент концентрации носителей возрастает, и носители разного знака диффундируют с различными скоростями таким же образом, как описывалось рацее. Возникающее фотонапряжение также описывается уравнением ( 525), которое, как следует отметить, является общим выражением, не зависящим от причины, вызывающей градиент концентрации. [19]
 |
Конструкция ко-ординатно-чувствительного фотодиода ( а, его эквивалентная схема ( б и зависимость напряжения от координаты ( в. [20] |
Координатно-чувствительный фотоприемник на основе продольного фотоэффекта, изображенный на рис. 4.12 а, содержит р - п-переход, образованный низ-коомной подложкой р-типа и высокоомным слоем я-ти-па. Фотонапряжение снимается с контактов / и 2 п-об-ласти. [21]
Под влиянием прерывистого освещения поток фотоэлектронов или положительных дырок, диффундирующих из освещенных участков кристалла в неосвещенные, перезаряжает пластины конденсатора. Возникающее переменное фотонапряжение на конденсаторе усиливается с помощью лампового усилителя. Измерение спектральных кривых было проведено при частоте освещения 150 гц. [22]
Приводимые ниже в виде спектральных кривых значения фотоэлектрической чувствительности представляют собой отношение напряжения, возникающего на обкладках конденсатора при освещении объекта ( измеряемое в вольтах на выходе усилителя), к величине падающей энергии монохроматического света в условных единицах. Следует отметить, что фотонапряжение, возникающее на конденсаторе при относительно небольших уровнях освещения ( 0.1 - 20 лк), изменялось линейно. [23]
Каллмен и Поуп [57] наблюдали эффект Дембера у антрацена. При освещении одной стороны окристалла толщиной приблизительно 10 тк светом с длиной волны 3650 А было получено фотонапряжение до 0 2 в в направлении падающего света. Опять-таки можно было наблюдать, что у кристаллов антрацена обычной чистоты положительные дырки имеют большую подвижность, чем электроны. Появление разности потенциалов объясняется относительно легкой диффузией положительных дырок от областей, лежащих вблизи поверхности, на которую-падает свет. [24]
 |
Теоретические ( линии и экспериментальные ( точки зависимости фотонапряжения в режиме малых ( / и больших ( 2 сопротивлений нагрузки от толщины неравновесного слоя истощения W ( GL. [25] |
В случае больших сопротивлений нагрузки изменением заряда на металлическом электроде во время освещения можно пренебречь, и фотонапряжение, как уже отмечалось, непосредственно равно изменению изгиба энергетических зон в приповерхностной ОПЗ. [26]
В принципе эффект Дембера можно наблюдать, если электрический контакт сделан в виде емкостной связи и падающее излучение модулируется высокой частотой Однако наличие поверхностных состояний повышает поверхностный барьер даже в отсутствие металлического контакта, а излучение изменяет заселенность этих состояний, в результате чего возникает фотонапряжение, которое также трудно отделить от э д с Дембера. Этот метод переменного тока использовался Эспозито, Ло-ферским и Фликером [228] для наблюдения эффекта Буймистро-ва [103], сходного с эффектом Дембера и заключающегося в увеличении фотонапряжения в полупроводнике при наличии градиента времени жизни неосновных носителей. В этом случае градиент концентрации носителей возрастает, и носители разного знака диффундируют с различными скоростями таким же образом, как описывалось рацее. Возникающее фотонапряжение также описывается уравнением ( 525), которое, как следует отметить, является общим выражением, не зависящим от причины, вызывающей градиент концентрации. [27]
Поверхностные фотонапряжения, которые напоминают контактные фотонапряжения ( раздел IV6), подробно рассматривались в случае неорганических веществ ( Джонсон [56]), а органические вещества не изучались. Разработанные методы позволяют измерять малые времена жизни носителей зарядов. Поверхностные фотонапряжения создаются в поверхностной пространственно-заряженной области и обнаруживаются с помощью небольших электродов, присоединенных к поверхности образца по емкостной схеме. [28]
Открыл эффекты аномально больших фотонапряжений и фотомагнитных напряжений в полупроводниковых пленках и решил ряд задач физики полупроводников и диэлектриков. [29]
В принципе эффект Дембера можно наблюдать, если электрический контакт сделан в виде емкостной связи и падающее излучение модулируется высокой частотой Однако наличие поверхностных состояний повышает поверхностный барьер даже в отсутствие металлического контакта, а излучение изменяет заселенность этих состояний, в результате чего возникает фотонапряжение, которое также трудно отделить от э д с Дембера. Этот метод переменного тока использовался Эспозито, Ло-ферским и Фликером [228] для наблюдения эффекта Буймистро-ва [103], сходного с эффектом Дембера и заключающегося в увеличении фотонапряжения в полупроводнике при наличии градиента времени жизни неосновных носителей. В этом случае градиент концентрации носителей возрастает, и носители разного знака диффундируют с различными скоростями таким же образом, как описывалось рацее. Возникающее фотонапряжение также описывается уравнением ( 525), которое, как следует отметить, является общим выражением, не зависящим от причины, вызывающей градиент концентрации. [30]
Страницы: 1 2 3