Фотонапряжение

Cтраница 3

Если в результате поглощения света полупроводником образуются подвижная дырка и связанный электрон, то дырки движутся в металл, который в результате этого заряжается. Если носителем является отрицательный электрон, то металл и в этом случае может принять этот носитель, но заряжается отрицательно. Для полупроводника с собственной проводимостью фотонапряжение равно нулю. [31]

Даже при термическом равновесии в темноте у поверхности контакта; возникает разность потенциалов ( см. раздел IV, 2), которая определяется экспериментально с помощью фотовольтаического эффекта. Когда используются два одинаковых электрода ( один из которых освещается), то под действием света происходит изменение числа подвижных носителей и как следствие - изменение уровня Ферми. В этом случае один контактный потенциал отличается от другого. Пока на электрод падает свет, элемент может служить источником тока. Фотонапряжение в разомкнутой цепи растет с увеличением интенсивности света. [32]

Для проведения оптических исследований и оценки напряженного состояния материалов чаще всего используют полярископы. В СССР созданы различные поляри-зационно-оптические установки ( ППУ) и координатно-синхронные поляриметры. Для исследования плоских нагруженных прозрачных материалов широко применяют полярископ БПУ ИМАШ-КБ2 с различными источниками света. Для исследования непрозрачных материалов в нашей стране и за рубежом применяют несколько видов полярископов отражательного света V-образного и удваивающего типов. Пользуясь ими, можно проводить исследования напряженного состояния изоляции в проходящем поляризованном свете и на поверхности в отраженном свете методом фотонапряжений с помощью нанесенного в твердом или жидком состоянии слоя оптически чувствительного материала. [33]

Зависимость электропроводности закиси меди от интегрального потока быстрых нейтронов. [34]

Изучив различные процессы, одновременно протекающие при облучении селеновых и меднозакисных кристаллов, можно выявить некоторые механизмы нарушений. К таким процессам относятся ядерные превращения, искажения кристаллической решетки и отжиг. Ядерные превращения вызываются захватом тепловых нейтронов, а последующий радиоактивный распад приводит к образованию химических примесей в кристаллической решетке. Разупо-рядочение кристаллической решетки является результатом упругого рассеяния нейтронов, обладающих высокой энергией. При температурах выше 130 К существенную роль наливает играть процесс отжига. Кроме того, комптоновское рассеяние у-квантов приводит к образованию электронов с высокой энергией, которые в свою очередь могут вызвать разупорядочение кристаллической решетки при упругом рассеянии. В одном или более барьерах могут наблюдаться фотоэлектрические эффекты, причем фотонапряжения оказывают во многих случаях влияние на работу электронных схем, даже если после облучения необратимые изменения отсутствуют. [35]

Страницы: 1 2 3