Фотоноситель

Cтраница 1

Фотоноситель в ЗУ может быть нанесен в виде слоя на поверхность ленты или диска. При записи информации модулированный луч лазера или другого источника света вызывает засвечивание отдельных участков носителя информации, поэтому после проявления на носителе образуется система темных точек, определяемая записанной информацией. Считывание информации осуществляется путем механического движения фотоносителя относительно источника света и фотоэлемента. При этом луч света, прдходя через участок носителя, действует на приемник света, вырабатывающий электрический сиг-лал в случае прохождения луча через носитель. [1]

Внутренний фотоэффект в р-п переходе. [2]

Фотоносители диффундируют вглубь n - области. Таким образом, ток фотоносителей через р-п переход обусловлен дрейфом неосновных носителей - дырок. [3]

Фотоносители диффундируют в глубь n - области. Электроны и дырки разделяются электрическим полем р-п перехода напряженностью Е0, при этом дырки переходят в р-область, а электроны не могут преодолеть поле перехода и скапливаются у границы р-п перехода в n - области. [4]

Обычно сканируемый фотоноситель занимает только часть окружности барабана. Остальная часть барабана используется для установки нуля квантователя на каждом обороте барабана во время прохождения света через специальное калибровочное окно и для переписи в ЦВМ результата ввода строки из быстрого буферного ЗУ в основное. [5]

Накопление фотоносителей в соотв 1) рх областях имеет ограничение: одновременно с Итотлением дырок в / 7-области и электронов в - области происходит понижение потенциального баоьера Е0 на значение возникшей фото - ЭДС Еф. Очевидно, что Еф должно быть меньше ЕО, так как разделение фотоносителей возможно только при наличии потенциального барьера. Уменьшение высоты потенциального барьера и соответственно напряженности электрического поля в р-п переходе ухудшает разделительные свойства р-п перехода. [6]

Накопление фотоносителей в соответствующих областях имеет ограничение: одновременно с накоплением ( дырок в р-области и электронов в n - области) происходит понижение потенциального барьера Е0 на значение возникшей фото - ЭДС Еф. Очевидно, что Еф должна быть меньше Е0, так как разделение фотоносителей возможно только при наличии некоторого потенциального барьера Д.Е. Уменьшение высоты потенциального барьера и соответственно напряженности электрического поля в р-п переходе ухудшает разделительные свойства р-п перехода. [7]

Светочувствительный слой других фотоносителей при записи подвергается кратковременному интенсивному ультрафиолетовому облучению, а в дальнейшем обрабатывается ультрафиолетовым светом малой интенсивности. Это исключает мокрые процессы и значительно сокращает время обработки носителей. [8]

В свободном состоянии фотоносители находятся чрезвычайно малое время, порядка 10 - 3 - 10 - 7 сек. [9]

Нашнец, движение фотоносителей сопровождается их переходом ( в пределах одной и той же энергетической зоны) с вышележащих уровней на нижележащие. Этот процесс обусловливается столкновениями фотоносителей с атомами вещества. [10]

Наоборот, дрейф фотоносителей в измененном поле поверхностного двойного слоя преобладает в области слабого поглощения. Это говорит о создании антизапорного слоя на поверхности ФАМ при подсветке. [11]

Устройства ввода с фотоносителя состоят из осветителей, преобразователя интенсивности света в электрический сигнал и квантователей. [12]

При способе кальвар применяют фотоноситель, светочувствительный слой которого состоит из термопластика и диазосоединения. Светочувствительный слой имеет толщину около 12 мк. Основой его обычно служит полимерная, например полиэфирная, пленка толщиной около 60 мкм. До экспонирования светочувствительный слой прозрачен. [13]

Скрытое изображение проявляется нагреванием фотоносителя, для чего его пропускают между горячими валками или обдувают горячим воздухом. Термопластичный слой размягчается, газовые пузырьки расширяются, в результате внутренние напряжения термопластичного слоя снимаются. При этом появляются области с различными показателями преломления света, вследствие чего различные участки фотоносителя по-разному рассеивают падающий на них свет. [14]

Сравнение ВАХ p - n - перехода на основе кристаллического материала ( а и р - / - - перехода на основе a - Si ( в В темноте ( / и при освещении ( If. [15]

Страницы: 1 2 3 4