Cтраница 4
Способ к а л ь в а р основан на использовании фотоносителя со светочувствительным слоем из термопдастика. Он обеспечивает высокую разрешающую способность 500 линий / мм и нашел применение в проекционных СОИ, а также в технике микрофильмирования. Способы каль-вар, фотохромный и фотопластический рассмотрены в гл. [46]
Основной вклад в фотопроводимость дают те слои образца, где концентрация фотоносителей Велика, следовательно ловушки заполнены. Эту область разумно ограничить глубиной / г / 7 - и считать все возбуждение равномерной в ней. Вкладом в проводимость более глубоких слоев, где условие заполнимости ловушек не выполнено, можем пренебречь по малости. [47]
Для повышения эффективности считывания и записи информации з оптических ЗУ с фотоносителем информации можно использовать латрицы из оптических волокон, представляющих собой двухслойные стеклянные нити с разными коэффициентами преломления диаметром жоло десяти микрон. [48]
![]() |
Эффект собственной ( переход / и примесной ( переходы 2, 3 фотопроводимости в полупроводниках.| Переходы электрона из валентной зоны в зону проводимости при эффекте собственной фотопроводимости. [49] |
Эффект фотопроводимости ( в отличие от фотогальванического) состоит только в создании фотоносителей; результатом изменения концентрации носителей в полупроводнике является увеличение проводимости полупроводника. [50]
![]() |
Расчет ВАХ фотодиода. а, б - исходные температурная и световая характеристики. в - ВАХ.| ВАХ фотомагнитодиода.| Оптопара с фотом агнитодиодом.| Структура p - i - n фотодиода. [51] |
Повышение чувствительности фотодиодов может быть достигнуто за счет использования лавинного механизма усиления фотоносителей в р - n переходе. Такие фотодиоды называют лавинными. [52]
Эффект фотопроводимости ( в отличие от фотогальванического) состоит только в создании фотоносителей; результатом изменения концентрации носителей в полупроводнике является увеличение проводимости полупроводника. [54]
Рассмотрим способы реализации электромеханической и электронной развертки на сканирующих устройствах ввода с промежуточного фотоносителя. [55]
Когда излучение поглощается вблизи противоположной поверхности полупроводника ( инфракрасное излучение), то фотоносителям одного знака нет необходимости дрейфовать через всю толщину кристалла, и телевизионное изображение передается со значительно большим разрешением, чем в случае люминофора с видимым свечением. [56]
В ряде случаев для хранения больших объемов графических данных целесообразно создавать автоматизированные хранилища на фотоносителях, в качестве которых могут применяться микрофильмы, микроголограммы и тд. При этом чертежи хранятся незакодированными и выдаются по запросам программ или непосредственно пользователей. Однако этот способ имеет существенный недостаток, состоящий в невозможности оперативного внесения изменений. [57]
Квантовые выходы инжекции дырок, представленные на рис. 2.5.26, позволяют провести вычисления квантового выхода фотоносителей в расчете на одну возбужденную молекулу. [58]
Спектры фотоответа СЭ на основе гетероструктур типа GaAs - pGaAs - pAlGaAs определяются эффективностью собирания фотоносителей, генерированных в GaAs и pGaAs, и спектром пропускания широкозонного окна, выполненного из твердого раствора. [59]
Если фотоэффект наблюдается в примесном электронном полупроводнике с введенными в него донорными примесями, то фотоносителями будут также электроны. Когда фотоэффект обнаруживается в дырочном полупроводнике, характер фотопроводимости будет также дырочным. [60]