Фотоноситель

Cтраница 2

Полевая зависимость вероятности генерации фотоносителей была рассчитана в работе [10] для аморфного селена. Результаты, полученные этими двумя группами, совпадают. В работе Окамото и др. [9] рассчитана и подтверждена экспериментально вероятность собирания фотоносителей в зависимости от электрического поля в р - 1 - - переходе на основе a - Si. Зависимость фотовольтаического эффекта от напряженности электрического поля непосредственно определяет свойства солнечного элемента. Например, как показано на рис. 5.1.2, наблюдаемые ВАХ для р - 1 - - перехода на основе a - Si и для р - n - перехода в монокристалле существенно различаются. [16]

Сравнение ВАХ p - n - перехода на основе кристаллического материала ( а и р - / - п-перехода на основе a - Si ( б В темноте ( / и при освещении ( If. [17]

Полевая зависимость вероятности генерации фотоносителей была рассчитана в работе [10] для аморфного селена. Результаты, полученные этими двумя группами, совпадают. В работе Окамото и др. [9] рассчитана и подтверждена экспериментально вероятность собирания фотоносителей в зависимости от электрического поля в р - 1 - n - переходе на основе a - Si. Зависимость фотовольтаического эффекта от напряженности электрического поля непосредственно определяет свойства солнечного элемента. Например, как показано на рис. 5.1.2, наблюдаемые ВАХ для р - 1 - - перехода на основе a - Si и для р - - перехода в монокристалле существенно различаются. [18]

Непосредственно после заброса энергия фотоносителя определяется энергией светового кванта. Однако теория и опыт показывают, что нескольких десятков столкновений вполне достаточно, чтобы электрон приобрел равновесную тепловую энергию. Поэтому подавляющую часть времени жизни фотоноситель движется с тепловой скоростью, и его подвижность бывает равна подвижности тепловых носителей. [19]

Таким образом, р-л-переход разделяет фотоносители. [20]

В работе [48] определена подвижность фотоносителей в комплексе пирен тетрацианэтилен. В этом комплексе подвижными оказались и дырки, и электроны. Для подвижности фотоэлектронов получено значение 0 15 - 0 2, а для дырок - 0 05 - 0 08 см. / в сек. [21]

В этом веществе время жизни фотоносителей должно быть также возможно большим. [22]

Поиск нужного запоминающего элемента на фотоносителе может осуществляться либо механическим перемещением носителя под неподвижным лучом, либо движением луча, либо, наконец, комбинированным способом, при котором сочетаются и механическое движение носителя и перемещение по его плоскости луча. [23]

В поверхностном слое освещаемого полупроводника возникают фотоносители - дополнительные дырки и электроны. [24]

Как правило, при действии на фотоноситель только световой энергии на нем создается скрытое изображение, проявляющееся и закрепляющееся при химическом, электрическом, тепловом или другом воздействии. Фотохромные носители не нуждаются в проявлении, так как оптические неоднородности на них образуются непосредственно под действием световой энергии. Время релаксации - от нескольких минут до нескольких часов. [25]

Например, Т может описывать прозрачность фотоносителя, а ср - его оптическую толщину. [26]

Это время, называемое временем жизни фотоносителя, играет решающую роль в теории фотоэффекта. [27]

Возможные механизмы возбуждения фотоносителей в полупроводнике.| Изменение концентрации носителей заряда в полупроводнике при освещении его прямоугольным импульсом света. [28]

Носители, возбуждаемые светом, называют фотоносителями. Их концентрация зависит от интенсивности и частоты излучения. Изменение электрического сопротивления полупроводника под действием оптического излучения называют фоторезистивным эффектом. Электропроводность полупроводника, обусловленная фоторезистивным эффектом, называют фотопроводимостью. [29]

Мы уже говорили, что время жизни фотоносителей колеблется в пределах 10 - 2 - 10 - 7 сек. Следовательно, за время своего пребывания в зоне фотоноситель испытывает миллионы столкновений. [30]

Страницы: 1 2 3 4