Фотоответ

Cтраница 2

Если падающее излучение не монохроматическое, то полный фотоответ прибора получается интегрированием уравнения ( 587) с учетом зависимостей / и К. [16]

Таким образом, в этом случае время фотоответа приближается к времени жизни свободных электронов. С другой стороны, сдвиг порога возникновения токов, ограниченных объемным зарядом, связанный с наличием уровней прилипания, не зависит от их сечения захвата. Следовательно, появляется по крайней мере формальная возможность отклонения от симметричного и взаимно компенсирующего влияния уровней прилипания на время пролета и время фотоответа, отмеченного в § 1 настоящей главы. [17]

Схема литания фотодиода.| Изменения динамического диапазона фотодиода при росте темновых токов. [18]

Для получения максималь - а ной величины фотоответа на - [ пряжение питания выбирается обычно равным максимально допустимому напряжению на фотодиоде: и ифяяоп. [19]

Спектры фоторезистивного эффекта в области собственного поглощения. [20]

Величину фототока Уф называют иногда фотооткликом или фотоответом. [21]

Как дробные степени, так и изменение скорости фотоответа с интенсивностью света легко объясняются с точки зрения модели, предполагающей квазинепрерывное распределение дискретных состояний по энергиям ( фиг. С увеличением интенсивности света квазиуровни Ферми раздвигаются и все большее число уровней включается в группу основных состояний. Это ведет к уменьшению времени жизни носителей и, следовательно, к более слабой, чем линейная, зависимости фототока от интенсивности света. [22]

Область частот, в которой отсутствует зависимость амплитуды фотоответа от частоты модуляции, соответствует искомому условию. [23]

Таким образом, удельная фоточувствительность р называемая также фотоответом, определяется важнейшими параметрами полупроводника: временем жизни и подвижностью носителей заряда, коэффициентами поглощения и отражения света в данной спектральной области, квантовым выходом фотоионизации. [24]

Эти примеси приводят к тому, что в германии фотоответ лежит в области очень больших длин волн. Поскольку сами при-л есные уровни мелки, компенсации не требуется, и постоянная времени может быть в принципе больше, чем у примесей, рассмотренных до сих пор. Постоянная времени может также зависеть от интенсивности ( разд. Для высокочастотных применений преимуществом этого приемника является меньшее сопротивление, что связано как с большим временем жизни свободных носителей, так и с их большей подвижностью, обусловленной гораздо меньшим числом ионизованных примесей ( разд. [25]

Именно благодаря этому инверсионному слою канальной проводимости имеет место большой фотоответ при освещении областей, далеких от р - и-перехода ( как показано на фиг. Действительно, электронно-дырочные пары, создаваемые там фотонами, могут, не рекомбинируя, непосредственно проходить к размазанной переходной области. [26]

На рис. 3.25 показаны полученные экспериментально коротковолновые участки спектров фотоответа для СЭ с различной толщиной широкозонного слоя. Кроме состава и толщины слоя Al Ga As, на вид коротковолновой части фотоответа, особенно в области - 0.4 мкм, существенное влияние оказывает просветляющее покрытие. [27]

Люкс-амперные характеристики аморфных слоев при различных температурах, С. 1 - 20. 2 - 50. 3 - 97. 4 - 123. 5 - 150.| Спектральное распределение фотопроводимости / ф в стеклообразных.| Спектральная характеристика рентгенопроводимости Оф в слое стекла Tl - As - Se.| Зависимость темновой электрической проводимости от и фотопроводимости Оф стекла As2Se3 от температуры. [28]

Кинетика фотопроводимости в ХСП характеризуется быстрой и медленной компонентами фотоответа. [29]

Заметим, что при этих условиях Трет равно времени фотоответа. Для многих веществ, обладающих достаточно высо ким сопротивлением, при низких интснсивностях света могут наблюдаться численные значения величины 1 / 2лтррЛ, меньшие единицы. Это означает, что фотопроводники, обладающие шеокнм коэффициентом усиления, должны проявлять очень большую инерционность. [30]

Страницы: 1 2 3 4